4. Halbleiterdetektoren - HEPHY
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<strong>4.</strong>1 Allgemeine GrundlagenAnmerkungen zur historischen Entwicklung★ 1951: Erste Detektoren aus Germanium-pn-Dioden (McKay).★ 1960: Herstellung funktionstüchtiger p-i-n-<strong>Halbleiterdetektoren</strong> für die β- undγ-Spektroskopie. (E.M. Pell)★ 1964: Einsatz von <strong>Halbleiterdetektoren</strong> in der experimentellen Kernphysik.(G.T. Ewan, A.J. Tavendale)★ 1960er Jahre: <strong>Halbleiterdetektoren</strong> aus Germanium aber auch aus Siliziumwerden zunehmend wichtiger für Energiemessungen in der Kernphysik.★ 1983: Einsatz einer planaren Si-Diode als Detektor in einem Festkörpertargetexperiment,NA11 at CERN. (J. Kemmer)★ 1980er Jahre und danach: Entwicklung von mikrostrukturierten<strong>Halbleiterdetektoren</strong> auf Si-Basis mit rasantem Bedeutungszuwachs vonortsauflösenden Siliziumdetektoren für die Hochenergiephysik.M. Krammer: Detektoren, SS 09 <strong>Halbleiterdetektoren</strong> 3
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