4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.1.3 DotierungFermi-Niveau im dotierten MaterialUnter der, bereits bei Raumtemperatur zulässigen, Annahme, dass alleDonatoren bzw. Akzeptoren ionisiert sind, berechnet sich die Lage desFermi-Niveaus E F in einem dotierten Halbleiter wie folgt:In einem n-Halbleiter:⎛E F ,n = E C − kT ⋅ ln N C⎜⎝N D⎞⎟⎠In einem p-Halbleiter:€⎛E F ,p = E V + kT ⋅ ln N V⎜⎝N A⎞⎟⎠E C ,E V … energet. Position der unteren Leitungsbandkante bzw. der oberen ValenzbandkanteN C , N V … effektive Zustandsdichte an der Leitungsbandkante bzw. an der Valenzbandkante€N D , N A … Konzentration der Donatoren bzw. AkzeptorenT ………… Temperatur,k … Boltzmannkonstante, k = 1.3807 · 10 –23 J/KM. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 36