4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.1.4 Der pn-ÜbergangBreite der Verarmungzone bei externer SpannungBenutzt man die Konvention, dass externe Spannungen in Durchlassrichtungals positiv und jene in Sperrichtung als negativ zählen, so lässt die die Breiteder Verarmungszone unter Einfluss einer externen Spannung schreiben als:im p-Bereich:im n-Bereich:W p =( )( )2ε r ε 0 V 0 −VeN a 1 + N aN dW n =( )( )2ε r ε 0 V 0 −VeN d 1 + N d N aV 0 … DiffusionsspannungV … externe Spannung€Die Gesamtbreite der Verarmungszone € ist somit:W =2ε r ε 0e⋅ ( V 0 −V ) ⋅⎛ 1⎜ + 1⎝ N dN a⎞⎟⎠Die Breite der Verarmungszone steigt also proportional zur Wurzel aus derexternen Spannung.€M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 46