4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.2.3AC gekoppelte DetektorenPolysilicon-Bias – 1★ Integrierte Widerstände aus polykristallinem Silizium (Polysilicon Resistors,Poly-Si) zw. der Bias Line und den p + -Implantaten der Streifen sind eineMöglichkeit zur Spannungsversorgung des Detektors.★ Poly-Si ist herstellbar mit Flächenwiderständen von bis zu R s ≈ 250 kΩ/❏. Jenach Breite und Länge der polykristallinen Schichten können damitWiderstände von bis zu R ≈ 20 MΩ erreicht werden (R = R s·Länge/Breite).★ Werden hohe Widerstandswerte benötigt, so werden meist mäanderförmigePoly-Si-Schichten gefertigt.★ Nachteil dieser Technologie: Es istin der Detektorproduktion einzusätzlicher Schritt nötig.Bild rechts: Querschnitt durch einenAC-gekoppelten Microstrip-Detektormit integrierten Poly-Si-Widerständen(nicht maßstabsgetreu).M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 78