4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.5 Signal-Rausch-Verhältnis BeispieleDELPHI Microvertex:★ Verstärker (MX6): a = 325 e, b = 23 e/pF, t p = 1.8 µs ★ 2 hintereinander geschaltete je 6 cm lange Streifen, C = 9 pF➔ ENC C = 532 e★ typ. Leckstrom pro Streifen: I ≈ 0.3 nA➔ ENC I = 78 e★ Vorwiderstand R p = 36 MΩ ➔ ENC Rp = 169 e★ Auslesewiderstand = 25 Ω➔ ENC Rs = 13 e➔ Gesamtrauschen: ENC = 564 eCMS Tracker:★ Verstärker (APV25, deconvolution): a = 400 e, b = 60 e/pF, t p = 50 ns★ 2 hintereinander geschaltete je 10 cmlange Streifen, C = 18 pF➔ ENC C = 1480 e★ Max. Leckstrom pro Streifen: I ≈ 100 nA➔ ENC I = 103 e★ Vorwiderstand R p = 1.5 MΩ ➔ ENC Rp = 60 e★ Auslesewiderstand = 50 Ω➔ ENC Rs = 345 e➔ Gesamtrauschen: ENC = 1524 eSignal-Rausch-Verhältnis von 40:1. Signal-Rausch-Verhältnis von 15:1. ein Signal (mip) von 22500 e.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 121