4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

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4.4 Ortsauflösung von Si-MicrostripsStreifenabstand und Zwischenstreifen – 3Betrachte einen Detektor mit einem Ausleseabstand von 60 µm. Annahme:FWHM der Ladungsverteilung: ≈ 20 µm.1. Streifenabstand = Ausleseabstand (d.h. keine zusätzlichen Streifen):– in ca 2/3 der Ereignisse Signal auf 1 Streifen*: σ x ≈ 40 µm/√12 ≈ 11.5 µm– in 1/3 der Ereignisse Signal auf 2 Streifen (S/N~27): σ x ≈ 2.2 µm➔ mittlere Genauigkeit: σ x ≈ 8.4 µm2. Gleicher Ausleseabstand, aber Detektor mit 2 Zwischenstreifen(Readout Pitch = 60 µm, Strip Pitch = 20 µm):– in ca. 1/3 der Ereignisse Signal auf 1 Streifen: σ x ≈ 20 µm/√12 ≈ 5.8 µm– in ca. 2/3 der Ereignisse Signal auf 2 Streifen➔ mittlere Genauigkeit: σ x ≈ 3.4 µm (Annahme: bei der kapazitiven Kopplung kein Ladungsverlust)Experimentelle Werte (ACCMOR Kollaboration):Ausleseabstand: 60 µm 120 µm 240 µmOrtsauflösung: 4.3 µm 7.5 µm 20 µm*(nur Spuren innerhalb von ± 20 µm des Streifens fallen in dieseGruppe)M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 111
4.4 Ortsauflösung von Si-MicrostripsEinfluss des Detektorrauschens Wird die Position einer Teilchenspur durch Ermittlung des Ladungsschwerpunktesdes (auf mehrere Streifen verteilten) Signals bestimmt, so hat das elektronischeRauschen einen entscheidenden Einfluss auf die Ortsauflösung.Ortsauflösung als Funktion des Signal-Rausch-Verhältnisses für einen Detektor mit einemStreifenabstand von 25 µm. — Kurven für zwei versch. Ausleseabstände.Quelle: A. Peisert, Silicon Microstrip Detectors, DELPHI 92-143 MVX 2, CERN, 1992M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 112
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4. HalbleiterdetektorenDetektoren i
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4.1 Allgemeine GrundlagenVerwendete
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4.1.2 MaterialeigenschaftenKristall
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4.1.2 MaterialeigenschaftenFermi-Di
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4.1.2 MaterialeigenschaftenIntrinsi
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4.1.2 MaterialeigenschaftenDriftges
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4.1.2 MaterialeigenschaftenSpezifis
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4.1.2 MaterialeigenschaftenMaterial
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4.1.2 MaterialeigenschaftenBandlüc
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4.1.2 MaterialeigenschaftenExkurs:
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4.1.3 DotierungBändermodell: n-Dot
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4.1.3 DotierungBändermodell: p-Dot
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4.1.3 DotierungÜberblick - 2★ In
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4.1.3 DotierungFermi-Niveau im doti
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4.1.3 DotierungLadungsträgerkonzen
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4.1.3 DotierungSpezifischer Widerst
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4.1.4 Der pn-ÜbergangElektrische C
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4.1.4 Der pn-ÜbergangVerhalten in
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4.1.4 Der pn-ÜbergangBreite der Ve
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4.1.4 Der pn-ÜbergangDiodenkennlin
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4.1.5DetektorcharakteristikaBreite
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4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
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4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
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4.1.5DetektorcharakteristikaDetekto
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4.1.5DetektorcharakteristikaZeitlic
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Seite 63 und 64: 4.2.1Prinzip eines Microstrip-Detek
Seite 65 und 66: 4.2.2Herstellung segmentierter Si-D
Seite 77 und 78: 4.2.3AC gekoppelte DetektorenAllgem
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Seite 83 und 84: 4.2.3AC gekoppelte Detektoren FOXFE
Seite 85 und 86: 4.2.4Doppelseitige Streifendetektor
Seite 95 und 96: 4.3 Pixeldetektoren Allgemeines, Na
Seite 97 und 98: 4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 99 und 100: 4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 101 und 102: 4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
Seite 111: 4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
Seite 115 und 116: 4.5 Signal-Rausch-VerhältnisRausch
Seite 117 und 118: 4.5 Signal-Rausch-Verhältnis Detek
Seite 123 und 124: 4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
Seite 157 und 158: Nützliche Referenzen - 1✭ Buch
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