4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.1.2 MaterialeigenschaftenIntrinsische Ladungsträgerdichte – 1★ Aufgrund der relativ kleinen Bandlücke werden in Halbleitern bereits beiRaumtemperatur ständig e – aus dem Valenz- in das Leitungsband angeregt.★ Andererseits können Leitungselektronen unter Energieabgabe an das Kristallgitterin freie Zustände im Valenzband zurückfallen, d.h. sie können mit vorhandenenLöchern rekombinieren.➔ Es stellt sich ein Gleichgewicht aus therm. Anregung und Rekombination ein.★ Da bei diesem Leitungsmechanismus, der sogenannten intrinsischen Leitungoder Eigenleitung, für jedes angeregte e – ein Loch existieren muß, sind dieLadungsträgerdichten für Elektronen und Löcher gleich:n e = n h★ Die hier vorliegende Ladungsträgerkonzentration wird intrinsische Ladungsträgerdichten i genannt: n i = n e = n h .★ Ein Halbleiter dessen elektrische Leitfähigkeit (überwiegend) durch dieEigenleitung bestimmt ist wird intrinsischer Halbleiter genannt.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 13