4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.1.2 MaterialeigenschaftenIntrinsische Ladungsträgerdichte – 2€€Die Ladungsträgerdichten (Ladungsträgerkonzentrationen) berechnen sich aus:mit:⎛n e = N C ⋅ exp − E C − E F⎜⎝ kT⎛N C= 2 2π m kT ⎞n⎜ ⎟⎝ ⎠h 2⎞⎟⎠undn e , n h … Ladungsträgerdichte der Leitungselektronen bzw. der LöcherE C ,E V … energet. Position der unteren Leitungsbandkante bzw. der oberen ValenzbandkanteN C , N V … effektive Zustandsdichte an der Leitungsbandkante bzw. an der Valenzbandkantem n , m p … effektive Masse der Elektronen bzw. € LöcherE g … Bandlücke, E g = E C - E V E F … Fermi-Niveauh … Planksche Wirkungsquantum;Die intrinsische Ladungsträgerdichte kann daher mittels-ben werden als: 32und€⎛n i = N C N V ⋅ exp − E ⎞g⎜ ⎟ ∝ T 3 2⎝ 2kT ⎠ €⎛n h = N V ⋅ exp − E F − E V⎜⎝ kT⎛N V= 2 2π m kT ⎞p⎜⎝ h 2 ⎟⎠n i = n e n h⎛⋅ exp − E ⎞g⎜ ⎟⎝ 2kT ⎠32⎞⎟⎠geschrieM. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 14€