4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.2.2Herstellung segmentierter Si-Detektoren — Planartechnologie – 25. Nach Ionenimplantation: Ausheilen (Annealing)der Strahlenschäden durch Tempern bei ca.600°C, dabei elektrische Aktivierung der Dotier-atome durch Einbau auf regulären Gitterplätzen.6. Metallisierung der Detektorvorderseite, meist mitAluminium. Verwendete Techniken: Sputtern oderAufdampfen. 7. Strukturierung der Metallisierung durch Photo-lithographie; Entfernen des überschüssigenMetalls (Ätzen der nicht durch die Maskeabgedeckten Bereiche); Entfernen der Maske.8. Großflächige Metallisierung der Rückseite.Abschließendes Tempern bei ca. 450°C fürbessere Haftung zw. Metall und Silizium. — Abschließend: Schneiden der Wafer.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 66