4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

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4.6 Strahlenschäden in Si-DetektorenStrahlungshartes Design★ Anfangs erhöhte n-Dotierung im Substrat (d.h. relativ niederohmige Detek-toren ➔ anfangs hohe V FD ) verlagert den Zeitpunkt der Typ-Inversion nachhinten und hält die nötigen Verarmungsspannungen auch nach sehr hohenStrahlungsdosen ausreichend niedrig.★ Für hohe Durchbruchspannungen: Alles unternehmen, um insbesondere anden Implantaten lokal hohe Feldstärken zu vermeiden. ➔ “Multi-GuardStructures” (mehrfache Guard-Ringe), über die Implantate überhängendeMetallisierungen.★ statt Silizium verwenden (hat weniger “dangling bonds”, d.h.ungebundene Valenzelektronen). Dies hat einen geringeren Anstrieg derStreifenkapazität zur Folge.★ Sauerstoffangereichertes Silizium verwenden.★ Detektoren aus anderen Materialien fertigen, z.B. aus Diamant.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 155
Nützliche Referenzen – 1✭ Buch über Halbleitertechnologie im Allgemeinen:H. Beneking, Halbleitertechnologie, B.G. Teubner, 1991✭ Buch allgemein über Halbleiterphysik und -elektronik:S.M. Sze, Semiconductor Devices – Physics and Technology, John Wiley &Sons, 1985✭ Buch allgemein über Halbleiterphysik und -elektronik:J. Singh, Semiconductor Devices – Basic Principles, John Wiley & Sons,2001✭ Buch speziell über Halbleiterdetektoren:G. Lutz, Semiconductor Radiation Detectors, Springer, 1999✭ Buch allgemein über experimentelle Kern- und Teilchenphysik:W.R. Leo, Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiments,Springer, 1999M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 156
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4. HalbleiterdetektorenDetektoren i
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4.1 Allgemeine GrundlagenVerwendete
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4.1.2 MaterialeigenschaftenKristall
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4.1.2 MaterialeigenschaftenFermi-Di
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4.1.2 MaterialeigenschaftenIntrinsi
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4.1.2 MaterialeigenschaftenDriftges
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4.1.2 MaterialeigenschaftenSpezifis
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4.1.2 MaterialeigenschaftenMaterial
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4.1.2 MaterialeigenschaftenBandlüc
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4.1.2 MaterialeigenschaftenExkurs:
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4.1.3 DotierungBändermodell: n-Dot
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4.1.3 DotierungBändermodell: p-Dot
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4.1.3 DotierungÜberblick - 2★ In
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4.1.3 DotierungFermi-Niveau im doti
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4.1.3 DotierungLadungsträgerkonzen
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4.1.3 DotierungSpezifischer Widerst
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4.1.4 Der pn-ÜbergangElektrische C
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4.1.4 Der pn-ÜbergangVerhalten in
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4.1.4 Der pn-ÜbergangBreite der Ve
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4.1.4 Der pn-ÜbergangDiodenkennlin
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4.1.5DetektorcharakteristikaBreite
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4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
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4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
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4.1.5DetektorcharakteristikaDetekto
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4.1.5DetektorcharakteristikaZeitlic
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4.2 Silizium-StreifendetektorenEinf
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4.2.1Prinzip eines Microstrip-Detek
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4.2.2Herstellung segmentierter Si-D
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4.2.3AC gekoppelte DetektorenAllgem
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4.2.3AC gekoppelte DetektorenPolysi
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4.2.3AC gekoppelte Detektoren Punch
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4.2.3AC gekoppelte Detektoren FOXFE
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4.2.4Doppelseitige Streifendetektor
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4.3 Pixeldetektoren Allgemeines, Na
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4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
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4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 101 und 102:
4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
Seite 103 und 104:
4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
Seite 105 und 106: 4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
Seite 115 und 116: 4.5 Signal-Rausch-VerhältnisRausch
Seite 117 und 118: 4.5 Signal-Rausch-Verhältnis Detek
Seite 123 und 124: 4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
Seite 155: 4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
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