4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

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4.1.4 Der pn-ÜbergangStrom-Spannungs-Charakteristik, Shockley-GleichungDer Strom durch einen pn-Übergang in Abhängigkeit von einer externenSpannung V kann durch die Shockley-Gleichung beschrieben werden:⎡ ⎛I = I 0 ⋅ ⎢ exp⎜eV⎣ ⎝ kT⎞ ⎤⎟ − 1⎥⎠ ⎦I 0 … Sättigungssperrstrom★ In Durchlassrichtung (V > 0) steigt der Strom exponentiell mit der externenSpannung an.€★ Für Sperrspannungen (V < 0) die betragsmäßig größer als ≈ 4kT/e sind,wird der expontielle Term in der Shockley-Gleichung hingegen vernach-lässigbar und der Strom ist auf den Sättigungssperrstrom I 0 begrenzt. ★ Bei realen Dioden kommt es ab einer gewissen Höhe der externen Sperr-spannung zum sogenannten Durchbruch der Diode: Der Sperrstrom steigtaufgrund des hohen elektrischen Feldes, welches nun ausreicht um zahl-reiche gebundene e – in das Leitungsband zu heben, rapide an. DieserVorgang wird nicht durch die Shockley-Gleichung beschrieben.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 47
4.1.4 Der pn-ÜbergangDiodenkennlinieTypische Strom-Spannungs-Charakteristik eines pn-Überganges in Silizium.Für positive Spannungswerte ist der Übergang in Durchlassrichtung geschal-ten, für negative Spannungen in Sperrichtung. Da der Sperrstrom um einVielfaches geringer ist als der Strom in Durchlassrichtung (nA statt mA), ister auf der hier dargestellten Skala nicht zu erkennen. Quelle: S.M. Sze, Semiconductor Devices , J. Wiley & Sons, 1985M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 48
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4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
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4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
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4.5 Signal-Rausch-VerhältnisRausch
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4.5 Signal-Rausch-Verhältnis Detek
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4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
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