4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.6 Strahlenschäden in Si-DetektorenAuswirkungen auf die Effektive Dotierkonzentration: Probleme durch nicht verarmte Bereiche★ n-Typ basierte Detektoren mit p + -Ausleseelektroden können notfalls auchunterhalb der Full Depletion betrieben werden. Das Signal ist dann aberkleiner, da im nicht verarmten Bereich des Detektors freie Ladungsträgerdurch Rekombination verloren gehen.★ Wandelt sich das Substrat in p-Typ um, so bildet sich die Verarmungszonenun von der Rückseite des Detektors beginnend aus. Am p + -Streifen kannaber nur ein Signal detektiert werden, wenn die Verarmungszone bis zumStreifen reicht. ➔ Nach der Typ-Konversion kann der Detektor nur mehr imvollständig verarmten Zustand betrieben werden!Ausbildung der Verarmungszone ineinem Detektor mit n-Typ Substrat.Ausbildung der Verarmungszone nachder Typ-Konversion durch Bestrahlung.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 144