4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.6 Strahlenschäden in Si-Detektoren Abhängigkeit von der Strahlungsart – 2Stoßkinematische Eigenschaften diverser einfallender Teilchen in Silizium. Ebenfalls ange-führt sind PKAs als stoßende Teilchen (Si + ). Für eine Strahlungsenergie der einfallendenTeilchen von 1 MeV ist T max die in einem Stoß maximal übertragbare Stoßenergie, T av dieim Mittel übertragene Stoßenergie. E min ist die minimal nötige Energie der einfallendenStrahlung für die Bildung eines Punkt- bzw. eines Cluster-Defektes.Strahlung e – p + n Si + WechselwirkungCoulombCoulomb undstarke Ww.starke Ww.CoulombT max 155 eV 133.7 keV 133.9 keV 1 MeVT av 46 eV 210 eV 50 keV 265 eVE min für Punktdefekt 260 keV 190 eV 190 eV 25 eVE min für Cluster-Defekt 4.6 MeV 15 keV 15 keV 2 keVQuelle: G. Lutz, Semiconductor Radiation Detectors, Springer-Verlag, 1999 M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 132