4. Halbleiterdetektoren - HEPHY
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<strong>4.</strong>2.3AC gekoppelte Detektoren FOXFET-Bias★ Bei dieser Technologie bilden das p + -Implantat eines jeden Streifens undjenes der Bias Line jeweils einen vollständigen FOXFET (Field Oxide FieldEffect Transistor). ★ Erreicht wird dies durch Aufbringen einer zusätzlichen, AC-gekoppelten,Metallisierung zw. Streifen und Bias Line, dem Gate.★ Die p + -Streifen fungieren als Source, die Bias Line als Drain.★ Vorteile: Über eine einstellbare Gate-Spannung kann der Widerstand desFOXFET und somit die Spannung an jedem Streifen extra geregelt werden.Die Herstellung benötigt keine zusätzlichen Produktionsschritte.Bild rechts: FOXFETim Teilbereich einesMicrostrip-Detektors(Querschnitt, nichtmaßstabsgetreu).M. Krammer: Detektoren, SS 09 <strong>Halbleiterdetektoren</strong> 82
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