4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

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4.4 Ortsauflösung von Si-MicrostripsStreifenabstand und Zwischenstreifen – 1★ Der Streifenabstand (“Strip Pitch”, definiert als Abstand plus einer Streifen-breite) ist ein wesentlicher Parameter welcher die Ortsauflösung einesMicrostrip-Detektors bestimmt. ★ Generell gilt: Je kleiner der Streifenabstand, desto besser die Ortsauflösung.★ Aber: Je kleiner der Streifenabstand, desto mehr Streifen werden zur Ab-deckung eines bestimmten Areals benötigt.➔ Für kleineren Streifenabstand steigt die Anzahl der nötigen Elektronikkanäle.➔ Lösung: Zusätzliche Streifen welche nicht ausgelesen werden.★ Zwischen den sogenannten “Readout Strips” (Auslesestreifen), welche anElektronikkanäle angeschlossen sind, befinden sich je ein oder mehrere“Intermediate Strips” (Zwischenstreifen), welche nicht ausgelesen werden.★ Durch kapazitive Kopplung wird die an diesen Intermediate Strips gesam-melte Ladung zu den Readout Strips transferiert.➔ Mehr Ereignisse mit Signal auf zwei Streifen.➔ Bessere Ortsauflösung mit geringerer Anzahl von Elektronikkanälen.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 109
4.4 Ortsauflösung von Si-MicrostripsStreifenabstand und Zwischenstreifen – 2Prinzip eines Microstrip-Detektors mit Zwischenstreifen: Es wird an allen Streifenein Signal induziert, aber nicht jeder Streifen wird ausgelesen. Das an den nichtan die Ausleseelektronik angeschlossenen Zwischenstreifen (“IntermediateStrips”) erzeugte Signal wird durch kapazitive Kopplung auf die Auslesestreifen“Readout Strips” übertragen.Bild rechts: Querschnittdurch einen Microstrip-Detektor mit je zweiZwischenstreifen (nichtmaßstabsgetreu).M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 110
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4. HalbleiterdetektorenDetektoren i
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4.1 Allgemeine GrundlagenVerwendete
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4.1.2 MaterialeigenschaftenKristall
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4.1.2 MaterialeigenschaftenFermi-Di
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4.1.2 MaterialeigenschaftenIntrinsi
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4.1.2 MaterialeigenschaftenDriftges
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4.1.2 MaterialeigenschaftenSpezifis
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4.1.2 MaterialeigenschaftenMaterial
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4.1.2 MaterialeigenschaftenBandlüc
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4.1.2 MaterialeigenschaftenExkurs:
Seite 31 und 32:
4.1.3 DotierungBändermodell: n-Dot
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4.1.3 DotierungBändermodell: p-Dot
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4.1.3 DotierungÜberblick - 2★ In
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4.1.3 DotierungFermi-Niveau im doti
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4.1.3 DotierungLadungsträgerkonzen
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4.1.3 DotierungSpezifischer Widerst
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4.1.4 Der pn-ÜbergangElektrische C
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4.1.4 Der pn-ÜbergangVerhalten in
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4.1.4 Der pn-ÜbergangBreite der Ve
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4.1.4 Der pn-ÜbergangDiodenkennlin
Seite 51 und 52:
4.1.5DetektorcharakteristikaBreite
Seite 53 und 54:
4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
Seite 55 und 56:
4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
Seite 57 und 58:
4.1.5DetektorcharakteristikaDetekto
Seite 59 und 60: 4.1.5DetektorcharakteristikaZeitlic
Seite 61 und 62: 4.2 Silizium-StreifendetektorenEinf
Seite 63 und 64: 4.2.1Prinzip eines Microstrip-Detek
Seite 65 und 66: 4.2.2Herstellung segmentierter Si-D
Seite 77 und 78: 4.2.3AC gekoppelte DetektorenAllgem
Seite 79 und 80: 4.2.3AC gekoppelte DetektorenPolysi
Seite 81 und 82: 4.2.3AC gekoppelte Detektoren Punch
Seite 83 und 84: 4.2.3AC gekoppelte Detektoren FOXFE
Seite 85 und 86: 4.2.4Doppelseitige Streifendetektor
Seite 95 und 96: 4.3 Pixeldetektoren Allgemeines, Na
Seite 97 und 98: 4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 99 und 100: 4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 101 und 102: 4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
Seite 109: 4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
Seite 115 und 116: 4.5 Signal-Rausch-VerhältnisRausch
Seite 117 und 118: 4.5 Signal-Rausch-Verhältnis Detek
Seite 123 und 124: 4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
Seite 157 und 158: Nützliche Referenzen - 1✭ Buch
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