4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

Weitere Magazine

Empfehlungen

Info

4.2.3AC gekoppelte DetektorenPolysilicon-Bias – 2Bild rechts: Schema eines Microstrip-Detektors mit integrierten Poly-Si-Wider-ständen (Aufsicht, nichtmassstabgetreu).Bild unten: CMS-Microstrip-Detektor:Großaufnahme der Poly-Si-Widerstände(incl. Teile der Strips und der Bias Line)Quelle : CMS Collaboration, HEPHY ViennaM. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 79
4.2.3AC gekoppelte Detektoren Punch Through Bias – 1★ Bei der Punch Through Bias besitzt auch die Bias Line ein p + -Implantat undliegt nur wenige µm von den Streifen entfernt. ★ Durch Anlegen einer ausreichend großen Spannung an der Bias Line ergibtsich eine Verbindung der Verarmungszonen von Streifen und Bias Line. ★ Übersteigt die angelegte Spannung den Wert einer bestimmten Schwell-wertspannung (“Punch Through Voltage”), so folgt die Spannung an denStreifen der Spannung an der Bias Line.★ Die Spannung an den Streifen ist in sehr guter Näherung die an der BiasLine angelegte Spannung abzüglich der Schwellwertspannung.★ Vorteil: Die Herstellung ist einfacher als jene von Poly-Si-Widerständen. Beider Detektorproduktion ist kein zusätzlicher Schritt nötig, der p + -Bereich derBias Line kann im selben Arbeitsschritt erzeugt werden wie die Implantateder Streifen.★ Nachteil: Struktur nicht strahlungshart.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 80
Seite 1:
4. HalbleiterdetektorenDetektoren i
Seite 7 und 8:
4.1 Allgemeine GrundlagenVerwendete
Seite 10:
4.1.2 MaterialeigenschaftenKristall
Seite 13 und 14:
4.1.2 MaterialeigenschaftenFermi-Di
Seite 15 und 16:
4.1.2 MaterialeigenschaftenIntrinsi
Seite 18:
4.1.2 MaterialeigenschaftenDriftges
Seite 22 und 23:
4.1.2 MaterialeigenschaftenSpezifis
Seite 24 und 25:
4.1.2 MaterialeigenschaftenMaterial
Seite 26 und 27:
4.1.2 MaterialeigenschaftenBandlüc
Seite 28 und 29:
4.1.2 MaterialeigenschaftenExkurs:
Seite 31 und 32: 4.1.3 DotierungBändermodell: n-Dot
Seite 33 und 34: 4.1.3 DotierungBändermodell: p-Dot
Seite 35 und 36: 4.1.3 DotierungÜberblick - 2★ In
Seite 37 und 38: 4.1.3 DotierungFermi-Niveau im doti
Seite 39 und 40: 4.1.3 DotierungLadungsträgerkonzen
Seite 41 und 42: 4.1.3 DotierungSpezifischer Widerst
Seite 43 und 44: 4.1.4 Der pn-ÜbergangElektrische C
Seite 45 und 46: 4.1.4 Der pn-ÜbergangVerhalten in
Seite 47 und 48: 4.1.4 Der pn-ÜbergangBreite der Ve
Seite 49 und 50: 4.1.4 Der pn-ÜbergangDiodenkennlin
Seite 51 und 52: 4.1.5DetektorcharakteristikaBreite
Seite 53 und 54: 4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
Seite 55 und 56: 4.1.5DetektorcharakteristikaDunkels
Seite 57 und 58: 4.1.5DetektorcharakteristikaDetekto
Seite 59 und 60: 4.1.5DetektorcharakteristikaZeitlic
Seite 61 und 62: 4.2 Silizium-StreifendetektorenEinf
Seite 63 und 64: 4.2.1Prinzip eines Microstrip-Detek
Seite 65 und 66: 4.2.2Herstellung segmentierter Si-D
Seite 77 und 78: 4.2.3AC gekoppelte DetektorenAllgem
Seite 79: 4.2.3AC gekoppelte DetektorenPolysi
Seite 83 und 84: 4.2.3AC gekoppelte Detektoren FOXFE
Seite 85 und 86: 4.2.4Doppelseitige Streifendetektor
Seite 95 und 96: 4.3 Pixeldetektoren Allgemeines, Na
Seite 97 und 98: 4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 99 und 100: 4.3 Pixeldetektoren Bump Bonding -
Seite 101 und 102: 4.4 Ortsauflösung von Si-Microstri
Seite 115 und 116: 4.5 Signal-Rausch-VerhältnisRausch
Seite 117 und 118: 4.5 Signal-Rausch-Verhältnis Detek
Seite 123 und 124: 4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
Seite 131 und 132:
4.6 Strahlenschäden in Si-Detektor
Seite 133 und 134:
Seite 135 und 136:
Seite 137 und 138:
Seite 139 und 140:
Seite 141 und 142:
Seite 143 und 144:
Seite 145 und 146:
Seite 147 und 148:
Seite 149 und 150:
Seite 151 und 152:
Seite 153 und 154:
Seite 155 und 156:
Seite 157 und 158:
Nützliche Referenzen - 1✭ Buch
Alle anzeigen

4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

Erfolgreiche ePaper selbst erstellen

Template löschen?

Als Template speichern?