4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.6 Strahlenschäden in Si-Detektoren Allgemeines – 4★★★★★Strahlenschäden können durch elektromagnetische oder durch starkeWechselwirkung von einfallender Strahlung mit den Detektoratomenerzeugt werden.Sowohl über die em. als auch über die starke Ww. kann ein Detektoratommittels elastischer Streuung aus seiner regulären Position im Kristallgitterherausgerissen und räumlich versetzt werden.Das mit dem ursprünglich einfallenden Teilchen wechselwirkendeDetektoratom nennt man “Primary Knock-On Atom” (PKA).Je nach übertragener Energie kann das PKA selbst wiederum andereDetektoratome anstoßen und somit weitere Schäden im Kristallgitterinduzieren.Durch die starke Ww. kann es, neben einer Positionsveränderung, auch zueiner Kernumwandlung eines Detektoratoms kommen.M. Krammer: Detektoren, SS 09 Halbleiterdetektoren 126