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Projektbereich D Lugscheider, Erich 383 Projektbereich D ... - SFB 289

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Härte E-<br />

Modul<br />

<strong>Projektbereich</strong> D<br />

<strong>Lugscheider</strong>, <strong>Erich</strong><br />

411<br />

Krit. Last<br />

[N]<br />

C26 3,2 470 2,887 40,5 8 0,5 25 370 20 W<br />

C22 3,91 470 1,5 39,7 10 0,5 22,5 326,7 50 (bei<br />

20N<br />

plast.<br />

Def.)<br />

C25 5,67 470 0,86 38,1 15 0,5 26,3 331,5 20 W<br />

C31 6,5 470 0,744 37,6 17,5 0,5 17 291 20 W<br />

Reihe 4<br />

C30 4 470 2,849 93,7 4,3 1,3 9,6 218 bei 60N<br />

plast.<br />

Def.<br />

C29 5,18 470 2,448 104,4 5 1,3 7 220 50 W<br />

C28 6,07 470 1,251 94,4 6,5 1,3 22 320 20 W<br />

C27 7,73 470 1,079 98 8 1,3 19 310 20 W<br />

Tabelle D-3: Übersicht über das untersuchte Parameterfeld der Al2O3-PVD-<br />

Schichten und die Untersuchungsergebnisse<br />

Zusammenfassend kann festgehalten werden, dass eine kristalline, hochtemperaturstabile<br />

-Al2O3 abgeschieden wurde. Vergleichbar zum Zirkoniumdioxid konnte durch den<br />

Pulseinsatz beim Magnetron Sputtern die Schichtrate deutlich erhöht werden und eine rein<br />

kristalline Schicht abgeschieden werden. Damit wird auch hier die chemische Beständigkeit<br />

der Schicht wesentlich verbessert. In den weiteren Versuchen erwiesen sich diese<br />

Schichtsysteme den Anforderungen gewachsen. Daher wurde eine Weiterentwicklung des<br />

Spinell MgAl2O4 nicht weiter verfolgt. Die Umsetzung dieses Schichtsystems auf einen<br />

reaktiven gepulsten Prozess gestaltet sich sehr komplex, da es sich bei dem Spinell<br />

MgAl2O4 um ein Aluminiumoxid, in das MgO-Moleküle eingelagert sind, handelt.<br />

Dadurch ist diese Verbindung hochtemperaturstabil und sehr verschleißfest. Durch die<br />

Abscheidung einer hochtemperaturstabilen Al2O3-Phase können ähnliche Eigenschaften<br />

erreicht werden. Die hohe chemische Inertheit konnte durch die hochtemperaturstabile<br />

ZrO2-Phase realisiert werden. Damit können mit diesen Schichtsystemen alle<br />

Anforderungen erfüllt werden.<br />

Haftvermittler<br />

W<br />

W

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