Wersja pełna [11,39 MB] - Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i ...

31. Tranzystor MOSFET z kanałem indukowanym (wzbogacanym -
EMOS). Model stałoprądowy i model małosygnałowy tranzystora
EMOS.
X 1
32. Budowa, właściwości i zastosowania tranzystorów: FAMOS, MNOS,
VMOS i DDMOS.
X 0,67
33. Właściwości tranzystora MOSFET z kanałem wbudowanym
(zubażanym).
X 0,67
34. Zależność napięcia progowego tranzystora EMOS od grubości
dielektryka bramkowego i ładunku zagrzebanego w tym dielektryku.
X 0,67
35. Wpływ właściwości podłoża i jego polaryzacji względem źródła na
charakterystyki tranzystora polowego.
X 0,33
36. Tranzystory cienkowarstwowe. Tetroda MOS. X 0,67
37. Wpływ temperatury na charakterystyki tranzystorów polowych.
Zabezpieczenie bramki tranzystora polowego MOS przed zniszczeniem
elektrycznością statyczną.
X 0,33
38. Porównanie tranzystorów polowych i bipolarnych. Tranzystory
bipolarne z izolowaną bramką. Tranzystory organiczne.
X 0,66
39. Monolityczne układy scalone: ogólna charakterystyka i klasyfikacja. X 0,33
40. Schematy funkcjonalne i parametry wybranych analogowych układów
scalonych.
X 0,67
41. Rodziny cyfrowych układów bipolarnych i CMOS. X 0,33
42. Matryce pamięci ROM i komórki elementarne pamięci RAM. X 0,33
43. Przyrządy ze sprzężeniem ładunkowym (CCD). X 0,33
44. Sensory półprzewodnikowe temperatury i światła. X 0,67
45. Gaussotrony, hallotrony i piezorezystory. X 0,66
46. Czujniki ciśnienia. Czujniki substancji chemicznych. X 0,67
47. Tyrystory: klasyfikacja, budowa, zasady działania i podstawowe
charakterystyki tyrystora konwencjonalnego.
X 1
48. Tyrystor wyłączalny bramką (GTO). Tyrystor elektrostatyczny.
Tyrystor sterowany MOS.
X 1
Razem 30
Karta zajęć - laboratorium
poziom
liczba
Lp. Zagadnienie
wiedzy umiej.
godzin
A B C D E
1. Zasady pracy w Laboratorium Przyrządów Półprzewodnikowych.
Przyrządy oraz zestawy pomiarowe laboratorium. Warunki zaliczenia.
X
3
2. Pomiary charakterystyk statycznych diod p-n. X 3
3. Badanie właściwości dynamicznych diod p-n. X 3
4. Pomiary diod stabilizacyjnych. X 3
5. Pomiary charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego. X 3
6. Badanie właściwości małosygnałowych tranzystora bipolarnego. X 3
7. Badanie właściwosci impulsowych tranzystora bipolarnego. X 3
8. Pomiary charakterystyk złączowego tranzystora polowego. X 3
9. Badanie przyrządów optoelektronicznych. X 3
10. Zaliczenie ćwiczeń laboratoryjnych. X 3
Razem 15
200