25.08.2013 Views

Wersja pełna [11,39 MB] - Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i ...

Wersja pełna [11,39 MB] - Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i ...

Wersja pełna [11,39 MB] - Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i ...

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

15. Oscylatory tranzystorowe – wymuszanie i zwiększanie niestabilności<br />

tranzystorów mikrofalowych, rezonatory (dielektryczne, YIG, paskowe,<br />

przestrajane elektrycznie)<br />

Karta zajęć - projekt<br />

x 1<br />

Razem 15<br />

poziom liczba<br />

Lp. Zagadnienie<br />

wiedzy umiej.<br />

godzin<br />

A B C D E<br />

1. Obwodowy symulator układów mikrofalowych Agilent ADS – przegląd<br />

podstawowych metod symulacji, wprowadzenie do obsługi programu<br />

x x 3<br />

2. Projektowanie i badanie właściwości obwodów dopasowujących<br />

ostałych skupionych i rozłożonych w technice mikropaskowej –<br />

zastosowanie narzędzi programu ADS (interaktywny wykres Smitha)<br />

x x 3<br />

3. Badanie wpływu punktu pracy tranzystorów GaAs MESFET i HBT na<br />

parametry małosygnałowe (wzmocnienie, szumy, stabilność) oraz<br />

porównanie bibliotecznych modeli wielko- i małosygnałowych<br />

x x 3<br />

4. Szerokopasmowa stabilizacja tranzystorów GaAs MESFET i HBT x 3<br />

5. Projektowanie wzmacniacza małosygnałowego HBT z idealnymi<br />

elementami skupionymi bez obwodów zasilania (projekt na<br />

maksymalne wzmocnienie)<br />

x x 3<br />

Razem 15<br />

419

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!