Research Directory of the Brandenburg University of Applied Sciences

Modellierung von Halbleiterbauelementen für die Technologie des
Instituts für innovative Mikroelektronik (IHP)
Ziel des Projektes war eine Modellierung von integrierten
PMOS-Transistoren auf der Basis von BSIM3 und
von skalierbaren integrierten pn-Dioden für die Technologie
des Instituts für innovative Mikroelektronik
(IHP).
Die Modellierung integrierter PMOS-Transistoren der
IHP-Technologie wurde auf der Basis von BSIM3 durchgeführt.
Sie erfolgte vor dem Hintergrund theoretischer
Erkenntnisse auf dem Gebiet der MOSFET-Modellierung
sowie der Halbleitertechnologie. Ziel war es, unter
Verwendung des BSIM3-Modells und IC-CAP geeignete
Parameter zu extrahieren, die in einer CMOS-Library
implementiert werden sollen. Zusätzlich sollte eine
vergleichende Analyse zwischen der 0,25-μm- und der
0,13-μm-Technologie durchgeführt werden. Im Bearbeitungszeitraum
wurde die Parameterextraktion durchgeführt.
Im Vorfeld fand eine Einarbeitung in Modellierung
und Parameterbestimmung für MOSFETs sowie
die Einarbeitung in das Software Programm IC-CAP
statt. Insgesamt wurden ca. 130 Parameter bestimmt.
Die extrahierten Parameter fanden ihre Anwendung in
der Pre-Released Version einer digitalen CMOS-Library.
Für die Modellierung von skalierbaren integrierten pn-
Dioden für die Technologie des Instituts für innovative
Optimierung von Schichtsystemen an Photovoltaikmodulen
Mit den Verfahren der Mikrotechnologie werden
Schichtsysteme und Systemkomponenten analysiert
und validiert.
Forschungsprojekte – Fachbereich Technik
Research Projects – Department of Engineering
Projektleitung – Project Management:
Prof. Dr.-Ing. Bernhard Hoier
Wiss. Mitarbeiter/innen – Scientific Staff:
cand. Dipl.-Ing. Sebastian Krech, cand. Dipl.-Ing. Jens Weinert
Laufzeit – Term: 03/2008 bis 11/2008
Finanzierung – Financing:
Quelle: Industrieprodukt
Partner/Kooperationen – Partner/Cooperations:
Institut für innovative Mikroelektronik (IHP), Frankfurt/Oder
Mikroelektronik (IHP) wurden die Modellparameter mit
Hilfe des SPICE-Gummel-Poon-Transistormodells ermittelt,
extrahiert und bestimmt. Durch einen definierten
Substratkontakt verhält sich die Diode wie ein Transistor,
daher wurde ein Transistormodell verwendet. Es
wurden die Grundlagen der Halbleitertechnik sowie
das SPICE-Gummel-Poon-Modell im Vergleich zu den
anderen verfügbaren Modellen anhand der verwendeten
Literatur aufgezeigt. Mit Gleichspannungs- und
Kapazitätsmessungen wurden die Dioden vermessen.
Mittels Extraktionsstrategie, des Programms IC-CAP
und eines Offset-Transistors konnte gezeigt werden,
dass die simulierten Kennlinien an die gemessenen
Kennlinien weitestgehend angepasst werden können.
Das entstandene Modell wurde in die Design_Kit_
Libarys für die Simulationsprogramme Hpeesoftsim
und Spectre aufgenommen.
Projektleitung – Project Management: Dr. Frank Pinno
Laufzeit – Term: Seit 04/2008
Projektträgerschaft und Federführung – Sponsorship and
Lead Investition: AiF
Finanzierung – Financing:
Quelle: Auftrag Johanna Solar Technology GmbH
Forschungsbericht Research Report 2007 – 2010 105