Bulletin 2011/35 - European Patent Office

(H01L) II.1(1)
(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB
GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT
NL NO PL PT RO SE SI SK TR
(43) 29.09.2010
(86) EP 2009/050086 06.01.2009
(87) WO 2009/092624 2009/31 30.07.2009
(30) 21.01.2008 FR 0850362
(54) • Herstellungsverfahren von epitaxial
gewachsenen Schichten auf einer Verbundstruktur
• A method of fabricating epitaxially grown
layers on a composite structure
• Procédé de fabrication de couches épitaxiales
sur une structure composite
(73) S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies,
Parc Technologique des Fontaines Chemin
des Franques, 38190 Bernin, FR
(72) FAURE, Bruce, F- 75011 Paris, FR
MARCOVECCHIO, Alexandra, F-38000 Grenoble,
FR
(74) Desormiere, Pierre-Louis, et al, Cabinet Beau
de Loménie 158, rue de l'Université, 75340
Paris Cedex 07, FR
H01L 21/762 → (51) H01L 21/20
H01L 23/00 → (51) H01L 21/56
(51) H01L 23/13 (11) 1 608 016 B1
H01G 4/232 H01G 4/236
H01L 23/498 H01L 23/50
H05K 1/02 H01L 23/64
H05K 1/18
(25) En (26) En
(21) 05016861.6 (22) 29.03.2000
(84) DE FR
(43) 21.12.2005
(30) 30.03.1999 JP 8949099
30.07.1999 JP 21688799
(54) • Gedruckte Schaltung mit eingebautem
Kondensator, Substrat mit gedruckter
Schaltung und Kondensator
• Capacitor-built-in-type printed wiring substrate,
printed wiring substrate, and capacitor
• Circuit imprimé avec capacité intégrée,
substrat à circuit imprimé et capacité
(73) NGK Spark Plug Co., Ltd., 14-18, Takatsujicho
Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi-ken, JP
(72) Ogawa, Kouki, Ichinomiya, Aichi, JP
Kodera, Eiji, Hashima, Gifu, JP
(74) Brown, Kenneth Richard, et al, R.G.C.
Jenkins & Co 26 Caxton Street, London
SW1H 0RJ, GB
(62) 00302581.4 / 1 041 631
(51) H01L 23/473 (11) 1 981 081 B1
(25) Ja (26) En
(21) 07708012.5 (22) 30.01.2007
(84) DE FR
(43) 15.10.2008
(86) JP 2007/051885 30.01.2007
(87) WO 2007/089011 2007/32 09.08.2007
(30) 31.01.2006 JP 2006023298
(54) • KÜHLSTRUKTUR EINES LEISTUNGS-
HALBLEITERELEMENTS UND WECHSEL-
RICHTER
• COOLING STRUCTURE OF POWER SEMI-
CONDUCTOR ELEMENT AND INVERTER
• STRUCTURE DE REFROIDISSEMENT D'UN
ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR D'ÉLEC-
TRICITÉ, ET CONVERTISSEUR CONTINU-
ALTERNATIF
(73) Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha, 1, Toyotacho,
Toyota-shi, Aichi 471-8571, JP
(72) SHIBA, Kenjiro, Toyota-shi, Aichi 4718571,
JP
(74) TBK, Bavariaring 4-6, 80336 München, DE
Europäisches Patentblatt
European Patent Bulletin
Bulletin européen des brevets
H01L 23/49 → (51) C22C 5/02
H01L 23/498 → (51) H01L 23/13
H01L 23/50 → (51) H01L 23/13
H01L 23/64 → (51) H01L 23/13
(51) H01L 25/16 (11) 1 979 945 B1
(25) Fr (26) Fr
(21) 07730884.9 (22) 29.01.2007
(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB
GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC NL PL PT RO
SE SI SK TR
(43) 15.10.2008
(86) FR 2007/000166 29.01.2007
(87) WO 2007/088267 2007/32 09.08.2007
(30) 31.01.2006 FR 0600867
(54) • LICHTEMISSIONSVORRICHTUNG MIT
FARBSTEUERUNG
• LIGHT EMISSION DEVICE WITH CHRO-
MATIC CONTROL
• DISPOSITIF D EMISSION DE LUMIERE
AVEC CONTROLE CHROMATIQUE
(73) Commissariat à l'Énergie Atomique et aux
Énergies Alternatives, Bâtiment "Le Ponant D"
25, rue Leblanc, 75015 Paris, FR
(72) KOPP, Christophe, F-38120 Fontanil-Cornillon,
FR
HUGON, Xavier, F-38500 Voiron, FR
MOUREY, Bruno, F-38500 Coublevie, FR
TCHELNOKOV, Alexei, F-38000 Grenoble, FR
(74) Hecké, Gérard, et al, Cabinet Hecké 10, rue
d'Arménie Europole BP 1537, 38025 Grenoble
Cedex 1, FR
(51) H01L 27/146 (11) 1 598 873 B1
H01L 31/0216
(25) En (26) En
(21) 05009390.5 (22) 28.04.2005
(84) DE FI FR GB NL
(43) 23.11.2005
(30) 17.05.2004 KR 2004034959
(54) • CMOS-Bildaufnahmesensor und sein Herstellungsverfahren
• CMOS image sensor and method of
fabrication thereof
• Capteur d'images CMOS et méthode de
fabrication associée
(73) SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., 416
Maetan-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si,
Gyeonggi-do, KR
(72) Nam, Seung-ho 304-1203, Gisan Apartment,
Seongnam-si Gyeonggi-do, KR
Kim, Jin-hwan 614-101, Geukdong Apartment,
Suwon-si Gyeongi-do, KR
Sung, Gae-young, Daegu, KR
(74) Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser
Anwaltssozietät, Leopoldstrasse 4,
80802 München, DE
H01L 27/146 → (51) H01L 31/115
H01L 27/18 → (51) H01L 39/22
(51) H01L 27/32 (11) 1 065 723 B1
(25) En (26) En
(21) 00113576.3 (22) 27.06.2000
(84) DE FR GB NL
(43) 03.01.2001
(30) 28.06.1999 JP 18259099
(54) • Elektrolumineszente Anzeigevorrichtung
• EL display device
• Dispositif d'affichage électroluminescent
(73) SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY
CO., LTD., 398 Hase, Atsugi-shi, Kanagawaken
243-0036, JP
(72) Yamazaki, Shunpei, Atsugi-shi, Kanagawaken
243-0036, JP
523
Patente
Patents
Brevets (35/2011) 31.08.2011
(74) Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser
Anwaltssozietät, Leopoldstrasse 4,
80802 München, DE
H01L 27/32 → (51) H01L 51/54
H01L 29/06 → (51) H01L 29/732
H01L 29/10 → (51) H01L 21/20
H01L 29/10 → (51) H01L 29/78
(51) H01L 29/732 (11) 1 611 615 B1
H01L 29/737 H01L 21/331
H01L 29/06
(25) De (26) De
(21) 04726497.3 (22) 08.04.2004
(84) DE FR GB
(43) 04.01.2006
(86) EP 2004/003805 08.04.2004
(87) WO 2004/090988 2004/43 21.10.2004
(30) 10.04.2003 DE 10316529
(54) • VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES
BIPOLAREN HALBLEITERBAUELEMENTS,
INSBESONDERE EINES BIPOLARTRAN-
SISTORS, UND ENTSPRECHENDES BIPO-
LARES HALBLEITERBAUELEMENT
• METHOD FOR THE PRODUCTION OF A
BIPOLAR SEMICONDUCTOR ELEMENT,
ESPECIALLY A BIPOLAR TRANSISTOR,
AND CORRESPONDING BIPOLAR SEMI-
CONDUCTOR COMPONENT
• PROCEDE DE PRODUCTION D'UN COM-
POSANT A SEMI-CONDUCTEUR BIPO-
LAIRE, EN PARTICULIER D'UN
TRANSISTOR BIPOLAIRE, ET COMPO-
SANT A SEMI-CONDUCTEUR BIPOLAIRE
CORRESPONDANT
(73) Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-
12, 85579 Neubiberg, DE
(72) BOECK, Josef, 81827 München, DE
MEISTER, Thomas, 82024 Taufkirchen, DE
STENGL, Reinhard, 86391 Stadtbergen, DE
SCHAEFER, Herbert, 85635 Höhenkirchen-
Siegertsbrunn, DE
(74) Barth, Stephan Manuel, Reinhard, Skuhra,
Weise & Partner GbR Patent- und
Rechtsanwälte Friedrichstrasse 31, 80801
München, DE
H01L 29/737 → (51) H01L 29/732
H01L 29/772 → (51) H01L 29/78
(51) H01L 29/78 (11) 1 209 752 B1
(25) Ja (26) En
(21) 00929818.3 (22) 22.05.2000
(84) CH DE FR GB LI
(43) 29.05.2002
(86) JP 2000/003238 22.05.2000
(87) WO 2001/091191 2001/48 29.11.2001
(54) • HALBLEITERBAUELEMENT
• SEMICONDUCTOR DEVICE
• DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(73) MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA, 7-
3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku Tokyo
100-8310, JP
(72) HARUGUCHI, Hideki c/o Mitsubishi Denki K.
K., Chiyoda-ku Tokyo 100-8310, JP
TOMOMATSU, Yoshihumi Fukuryo Semi-Con
Eng. Corp., Fukuoka-shi Fukuoka 819-0161,
JP
(74) Sajda, Wolf E., et al, Meissner, Bolte &
Partner GbR Postfach 86 06 24, 81633
München, DE
(51) H01L 29/78 (11) 1 427 021 B1
H01L 29/10
H01L 21/18
H01L 29/772