Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

CF(tsi)
Vt (mV)
Chapitre II: Modélisation analytique des caractéristiques statiques des différentes architectures CMOS.
Enfin, en réinjectant l’équation II-111 dans l’expression de tension de seuil canal long classique (Eq. II-99), on
obtient l’expression de la tension de seuil canal long avec prise en compte des effets de confinement quantique :
Eq. II-112
Pour valider notre approche, nous avons procédé à des simulations Poisson-Schrödinger 1D basée sur les travaux
de [Garetto 10] et comparé les résultats obtenus par l’expression analytique (II-112) sur la Figure II-34-b. On peut
y voir que notre modèle reproduit bien les simulations, en fixant λ=2nm. On peut également constater que
négliger les effets quantiques (courbes pointillées sur la Figure II-34-b pour les films minces mènent à de grandes
erreurs.
tel-00820068, version 1 - 3 May 2013
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
t si