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Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

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Chapitre I: Le transistor MOSFET: fonctionnement, miniaturisation et architectures.<br />

électrique E est unidimensionnel, et qu’il est donné par la relation E=-dV(y)/dy où V(y) est le potentiel en un point<br />

y du canal. On considérera également que la <strong>de</strong>nsité <strong>de</strong> porteur ne dépend que <strong>de</strong> x et y, et sera noté n(x,y).<br />

Cette surface A est donnée par le produit <strong>de</strong> la largeur du canal <strong>de</strong> conduction, donc à la largeur du transistor W<br />

(selon l’axe z) par l’épaisseur du canal <strong>de</strong> conduction que nous noterons x i (selon l’axe x). Les dimensions et axes<br />

sont indiqués sur la Figure I-9. L’intégrale double à évaluer est alors la suivante:<br />

∬ Eq. I-29<br />

Tous les paramètres étant indépendant <strong>de</strong> z, l’intégration suivant cet axe est très simple. On considère ensuite<br />

que la mobilité <strong>de</strong>s électrons µ n est indépendante <strong>de</strong> x, et qu’elle peut être remplacée par la mobilité effective µ eff<br />

[Taur 98]. La mobilité effective µ eff fait l’objet du paragraphe suivant. On a alors:<br />

∫ Eq. I-30<br />

tel-00820068, version 1 - 3 May 2013<br />

Or, par définition, la charge d’inversion par unité <strong>de</strong> surface <strong>de</strong> grille en y est liée à la <strong>de</strong>nsité <strong>de</strong> porteurs<br />

minoritaires par:<br />

∫ Eq. I-31<br />

Le courant <strong>de</strong> dérive en y s’exprime alors :<br />

La variable y est interchangeable avec V tant que V est une fonction <strong>de</strong> y seulement. On a alors l’égalité :<br />

Eq. I-32<br />

Eq. I-33<br />

En multipliant chaque terme <strong>de</strong> l’équation I-33 par dy, puis en intégrant sur la longueur du canal donc <strong>de</strong> y=0 à<br />

y=L et <strong>de</strong> V=0 à V=V d , on a alors l’intégrale suivante :<br />

∫ ∫ Eq. I-34<br />

Finalement, le courant <strong>de</strong> dérive entre source et drain est donné par l’expression :<br />

∫ Eq. I-35<br />

La procédure exposée ci-<strong>de</strong>ssus, menant à l’équation I-35 est la double intégration <strong>de</strong> Pao et Sah [Pao 66]. Enfin,<br />

<strong>pour</strong> aboutir à l’expression du courant <strong>de</strong> dérive, nous écrivons la charge d’inversion avec la formule simple tirée<br />

<strong>de</strong> la théorie classique <strong>de</strong> la capacité MOS :<br />

Eq. I-36<br />

Où V est le potentiel le long du canal, avec V(0)=0 (polarisation <strong>de</strong> la source) et V(L)=V d (polarisation du drain).<br />

Finalement, en reportant l’équation I-36 dans I-35, on a par une simple intégration :<br />

( ) Eq. I-37<br />

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