Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

Chapitre III: Evaluation analytique des capacités parasites dans les structures CMOS.
Les expressions développées ci-dessous seront communes aux trois architectures planaires étudiées dans cette
partie.
III.C.5.a) Contact en ruban
Pour la composante entre le flan de grille et le contact, on utilise la formule classique du condensateur plan :
Eq. III-43
Où W est la largeur du transistor, mais également ici la largeur du contact.
Pour la seconde composante, on travaille par analogie avec la capacité de bords externes (C of ). En utilisant
l’équation III-34 avec (x 1 , x 2 , y 1 , y 2 )=(0, t sp , L g /2, H M1 ) :
√ √ ( ) ( )
( ) Eq. III-44
tel-00820068, version 1 - 3 May 2013
(
Pour valider notre approche, nous utilisons à nouveau FlexPDE avec les kits de simulation représentés sur la
Figure III-15. Le premier nous permet d’extraire la somme C of +C pccaflat et le second nous permet d’obtenir la
somme C of +C pccaflat + C pccatop .
c
o
n
t
a
c
t
espaceur
C pccaflat
C of
grille
Oxyde de grille
)
c
o
n
t
a
c
t
Oxyde de
remplissage
(PMD)
C pccaflat
C pccatop
C of
grille
a) b)
espaceur
Figure III-15 : (a) kit de simulation pour la validation de la capacité grille-contact, sans la composante C pccatop.
(b) kit de simulation pour la validation de la capacité grille-contact complète.
On peut alors tracer les variations de ces sommes avec l’épaisseur d’espaceur (Figure III-16-a) et avec la hauteur
de grille (Figure III-16-b).
128