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Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

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Chapitre V: Evaluation <strong>de</strong>s <strong>performances</strong> avec <strong>de</strong>s outils <strong>de</strong> CAO conventionnels.<br />

Cinq capacités :<br />

o La capacité grille-source C gs .<br />

o La capacité grille-drain C gd .<br />

o La capacité grille-substrat C gb (considérée nulle dans notre étu<strong>de</strong>).<br />

o La capacité substrat-source C bs (considérée nulle dans notre étu<strong>de</strong>).<br />

o La capacité substrat-drain C bd (considérée nulle dans notre étu<strong>de</strong>).<br />

Trois charges :<br />

o Charge <strong>de</strong> source Q s .<br />

o Charge <strong>de</strong> drain Q d .<br />

o Charge <strong>de</strong> grille Q g .<br />

Sachant que ces <strong>de</strong>ux <strong>de</strong>scriptions sont liées par les relations suivantes :<br />

si i ≠j Eq. V-1<br />

si i =j Eq. V-2<br />

tel-00820068, version 1 - 3 May 2013<br />

Où les indices i et j représentent les électro<strong>de</strong>s concernées.<br />

V s<br />

Source<br />

S<br />

Grille<br />

G<br />

C gb C gs C gd<br />

R s<br />

C bs<br />

V g<br />

I ds<br />

S’ D’ D<br />

V s ’ V d ’<br />

B<br />

Substrat<br />

V b<br />

C bd<br />

R d<br />

V d<br />

Drain<br />

a)<br />

V g<br />

Grille<br />

Q g G<br />

V s<br />

Source<br />

S<br />

Q s<br />

R s<br />

I ds<br />

S’ D’ D<br />

V s ’ V d ’<br />

R d<br />

Q d<br />

V d<br />

Drain<br />

B<br />

Substrat<br />

V b<br />

b)<br />

Figure V-1: schéma équivalente du transistor MOSFET <strong>pour</strong> le simulateur dans le cas où le régime dynamique<br />

est décrit par les cinq capacités (a) puis par les trois charges (b).<br />

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