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Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

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Vout (V)<br />

Chapitre IV: Application <strong>de</strong>s <strong>modèles</strong> <strong>de</strong> capacités parasites: estimation du délai d’un circuit simple.<br />

Figure IV-1-b <strong>pour</strong> une chaine à trois étages). Ensuite, on considère que la chaine d’inverseurs est dans un état<br />

stable, avec la tension d’entrée <strong>de</strong> la chaine à 0V, donc :<br />

<br />

<br />

V out (i, t=0)=V dd si i est impair.<br />

V out (i,t=0)=0 si i est pair.<br />

En discrétisant le temps dans l’équation IV-1 (la pas temporel sera noté Δt), on peut facilement tracer la variation<br />

<strong>de</strong> la tension <strong>de</strong> sortie <strong>de</strong> chaque étage <strong>de</strong> la chaine en fonction du temps. En initialisant la tension d’entrée du<br />

premier étage à V dd , <strong>pour</strong> mettre la chaine dans un état instable, on obtient <strong>de</strong> manière itérative la tension <strong>de</strong><br />

sortie <strong>de</strong> l’étage i, <strong>pour</strong> le temps t avec :<br />

[ ( ) ] Eq. IV-2<br />

tel-00820068, version 1 - 3 May 2013<br />

Où I n et I p sont les courants drain-source traversant respectivement le NMOS et le PMOS (calculés grâce au<br />

paragraphe II.D) et V out (i,t) la tension <strong>de</strong> sortie <strong>de</strong> l’étage i <strong>pour</strong> le temps t. On remarquera également que V out (i-<br />

1,t)=V in (i,t).<br />

On utilise alors l’équation IV-2 <strong>pour</strong> tracer la variation <strong>de</strong>s tensions <strong>de</strong> sorties <strong>de</strong> chacun <strong>de</strong>s i étages (ici, i =6)<br />

d’une chaine d’inverseur (Figure IV-2). Sur cette même figure est représenté le délai <strong>de</strong> propagation (égal à <strong>de</strong>ux<br />

fois le délai <strong>de</strong> commutation) <strong>de</strong> la chaine d’inverseur qui est extrait numériquement à partir <strong>de</strong> ce jeu <strong>de</strong><br />

courbes.<br />

1.2<br />

1<br />

0.8<br />

0.6<br />

0.4<br />

0.2<br />

0<br />

V dd =1V – 6 étages<br />

Délai <strong>de</strong><br />

propagation<br />

0 20 40 60 80 100<br />

Temps (ps)<br />

Figure IV-2 : Tracé <strong>de</strong>s tensions <strong>de</strong> sorties <strong>de</strong> chacun <strong>de</strong>s six étages d’une chaine d’inverseur obtenu avec<br />

l’équation IV-2 et illustration du délai <strong>de</strong> propagation.<br />

Cette métho<strong>de</strong> permet donc <strong>de</strong> connaitre le délai <strong>de</strong> propagation d’une chaine d’inverseurs à partir <strong>de</strong>s I(V) du<br />

NMOS et du PMOS. Elle ne tient cependant pas compte <strong>de</strong> la capacité équivalente <strong>de</strong> l’inverseur, qui varie si on<br />

change <strong>de</strong> <strong>de</strong>ssin du circuit (largeur ou longueur <strong>de</strong>s transistors) ou si différentes architectures <strong>de</strong> dispositifs sont<br />

utilisées. Le paragraphe suivant propose une métho<strong>de</strong> <strong>pour</strong> évaluer la capacité équivalente d’un inverseur, à<br />

partir <strong>de</strong> la capacité <strong>de</strong> grille et <strong>de</strong>s capacités parasites <strong>de</strong> chaque dispositif (estimées dans le chapitre III).<br />

IV.A.2.<br />

Calcul <strong>de</strong> la capacité équivalente<br />

Cette capacité est évaluée à partir <strong>de</strong>s travaux exposés dans [Wei 11]. La capacité totale qui est chargée et<br />

déchargée au nœud <strong>de</strong> sortie est donnée par la somme <strong>de</strong> trois composantes :<br />

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