Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

Annexe
5.b. Structure du modèle
Le modèle se décompose en 6 sections :
5.b.1) Définition des constantes
Définition des constantes physiques utilisées par le modèle :
tel-00820068, version 1 - 3 May 2013
Nom Description Valeur
eps0 Permittivité du vide 8.854214871e-12 F.m -1
epssi Permittivité du silicium 1.053655e-10 F.m -1
epssio2 Permittivité du SiO 2 3.453157e-11 F.m -1
epssi3n4 Permittivité du Si 3 N 4 6.197974e-11 F.m -1
q Charge de l’électron 1.6e-19 C
k Ratio de la constante de Boltzman et de la charge de l’électron q 0.0000861 V.K -1
pi pi 3. 14159265358979323846
m0 Masse de l’électron 9.10956e-31 kg
mc Masse relative effective de l’électron 1.084
mv Masse relative effective d’un trou 0.549
h Constante de Planck 6.6261e-34
REFTEMP Temperature de reference (27°C)
300.15 K
Tableau 1: Description des constantes.
5.b.2) Initialisation du modèle
Cette section a pour objectif de calculer les différentes constantes qui sont fonction des conditions de simulations
et des paramètres technologiques du transistor, donnés dans le fichier « .lib ». Cette section débute par le mot clé
« begin : initializeModel ».
Un échantillon des constantes calculées est listé ci-dessous :
Valeur de la largeur de la bande interdite (E g )
Concentration en porteurs intrinsèque (n i )
Longueur électrique du transistor (L elec )
EOT
Potentiel de Fermi (φ f )
Potentiel de diode (φ d )
…
5.b.3) Evaluation des paramètres statiques
Cette section a pour objectif de fournir la description du comportement statique du transistor, c'est-à-dire les
valeurs des différents courants (I ds , I gsc et I gsd ) pour un jeu de polarisation donné, mais également des capacités
parasites. Elle débute par le mot clé « begin : evaluateStatic ».
La principale, et première, partie du code de cette section est consacrée à l’évaluation du courant drain-source
I ds est organisée de la manière suivante :
Récupération des différentes polarisations.
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