Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

tel-00820068, version 1 - 3 May 2013
Annexe
mince.
L (m)
Longueur de grille.
W (m)
Largeur physique du transistor.
HSI (m)
Hauteur du fin (uniquement pour architecture FinFET/Trigate).
FINPITCH (m)
Pas de répétition d’un fin (uniquement pour architecture FinFET/Trigate).
RS (Ω.µm)
Résistance d’accès S/D.
TYPEOXYDE ()
Test si oxyde de grille en SiO 2 ou en matériau HK.
EPSILONOXYDE () Permittivité de l’oxyde de grille.
TYPEGATE ()
Test si grille en polysilicium ou en métal.
PHIM (V)
Travail de sortie de la grille.
DIT (cm 2 /eV)
Densité d’état d’interface.
ZETA1 ()
Paramètre d’ajustement du DIBL pour le modèle BULK.
ZETA2 ()
Paramètre d’ajustement du SCE pour le modèle BULK.
GAMMA ()
Evaluation de la longueur de la zone de recouvrement des jonctions sous la grille en
fonction de la longueur de grille.
P () Paramètre ajustant le passage en saturation des I d -V d .
I0 (A)
Proportionnel à la valeur du courant au seuil.
KVS ()
Paramètre de vitesse de saturation.
CBSCR_FITPARAM () Valeur du paramètre de l’effet d’écrantage de Coulomb sur la mobilité.
ACTIV_CBSCR () Activation de l’effet d’écrantage de Coulomb sur la mobilité.
KSTR ()
Paramètre de dégradation/amélioration de la mobilité effective du à la contrainte.
ALPHAMUEFF () Paramètre de dégradation de la mobilité due à la réduction de longueur de grille.
kmuMax ()
Facteur d’amélioration maximale de la mobilité, par défaut 1.8 pour un NMOS, 2.5
pour un PMOS.
ksub ()
Facteur d’amélioration de la mobilité à faible champ.
kpocket ()
Facteur d’amélioration de la mobilité due aux poches de contrainte (i.e au liner
contraint).
Lstrain (m)
Longueur de la poche de contrainte résultante.
GradStress ()
Gradient de contrainte du au liner contraint.
activeStressLoc () Activation (=1) de l’effet du liner contraint sur la mobilité.
kchannel ()
Facteur d’amélioration de la mobilité dû au canal.
CPP (m)
Contacted Poly Pitch.
TYPE ()
Type du transistor: NMOS ou PMOS.
TBOX (m)
Epaisseur de l’oxyde enterré.
Identifie l’architecture considérée:
1: BULK without Raised S/D.
2: BULK with Raised S/D.
3: FDSOI_no_Rs/d
ARCHITECTURE () 4: FDSOI_with_Rs/d
5: DG_no_Rs/d
6: DG_with_Rs/d
7: FINFET_with_Rs/d
8: Trigate_with_Rs/d
GPN () 1 : GPN
Type d’implantation du Ground Plane (pour FDSOI uniquement) :
0 : GPP
NGP (m -3 )
Dopage du GP.
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