Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

Chapitre II: Modélisation analytique des caractéristiques statiques des différentes architectures CMOS.
et de remplacer le potentiel sur la cathode virtuelle (ϕ VC (x)) dans l’expression de V ds (x) * par sa valeur moyenne,
estimée à 3/4 ϕ d . L’expression du dopage effectif est donc réduite à :
( ( ) √ ) Eq. II-15
Ensuite, pour obtenir une expression de l’effet SCE seul, on fixe V ds =0 :
Eq. II-16
En remplaçant le dopage canal N ch par le dopage effectif N ch * dans l’expression de la tension de seuil canal long
(Eq. II-6), on a :
√
Eq. II-17
tel-00820068, version 1 - 3 May 2013
√ √( )
Eq. II-18
Par un développement de Taylor de la seconde racine, on parvient à isoler l’expression de la tension de seuil canal
long a :
Par définition du paramètre SCE :
√
√
Eq. II-19
Eq. II-20
Eq. II-21
Pour le calcul du DIBL, on procède de la même manière, mais en considérant V ds ≠0. L’expression du
dopage effectif est alors donné par l’équation II-14.Pour réduire son expression et pouvoir isoler la contribution
du DIBL, il est proposé dans [Gautier 03] de considérer les deux cas extrêmes :
V DS : V DS (x) V DS
V DS : V DS (x) V DS
Ce qui permet d’avoir une même expression de V ds * dans tous les cas, donnant l’expression du dopage effectif
suivante :
Eq. II-22
Enfin, en remplaçant le dopage canal N ch par le dopage effectif N ch * dans l’expression de la tension de seuil canal
long (Eq. II-6), on a :
Eq. II-23
Eq. II-24
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