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Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

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Chapitre II: Modélisation analytique <strong>de</strong>s caractéristiques statiques <strong>de</strong>s différentes architectures CMOS.<br />

Où E eff est le champ effectif donné par :<br />

NMOS :<br />

Eq. II-124<br />

PMOS:<br />

Eq. II-125<br />

Où Q <strong>de</strong>p est la charge d’inversion, t inv l’épaisseur d’oxy<strong>de</strong> <strong>de</strong> grille en inversion (i.e. EOT+darkspace) et C inv la<br />

capacité d’oxy<strong>de</strong> <strong>de</strong> grille en inversion.<br />

Ces trois composantes sont ensuite liées par une loi <strong>de</strong> Mathiesen, mais le terme µ Cbs doit être corrigé du fait <strong>de</strong><br />

l’écrantage <strong>de</strong> la charge <strong>de</strong> déplétion par la charge d’inversion [Bœuf 09] :<br />

Eq. II-126<br />

tel-00820068, version 1 - 3 May 2013<br />

Avec C bscr facteur d’écrantage <strong>de</strong> la charge <strong>de</strong> déplétion par la charge d’inversion, Q <strong>de</strong>p charge <strong>de</strong> déplétion et Q i<br />

charge d’inversion. Avec cette équation, on peut tracer la courbe µ eff /E eff représentée sur la Figure II-40, qui<br />

reproduit bien les mesures <strong>de</strong> [Takagi 94]<br />

µ eff<br />

µ CbS µ ac a E<br />

-1/3<br />

eff<br />

µ sr a E<br />

-3<br />

eff<br />

E eff<br />

--- : Takagi<br />

: Mastar Modèle<br />

a) b)<br />

Figure II-40 : (a) décomposition <strong>de</strong> la mobilité effective µ eff dans le cas du NMOS. (b) Tracé <strong>de</strong>s courbes <strong>de</strong><br />

mobilité universelle <strong>pour</strong> différentes valeur <strong>de</strong> dopage canal.<br />

II.D.3. Raccord faible-forte inversion<br />

Le raccord entre les régimes <strong>de</strong> faible et <strong>de</strong> forte inversion est la principale source <strong>de</strong> discontinuité dans une<br />

modélisation du courant <strong>de</strong> drain dans les transistors MOSFET. En effet, il s’agit ici <strong>de</strong> joindre <strong>de</strong>ux régimes décrit<br />

par <strong>de</strong>ux équations distinctes, et n’ayant <strong>pour</strong> paramètre commun que la tension seuil qui jouera le rôle <strong>de</strong><br />

frontière supérieure <strong>pour</strong> le régime sous le seuil, donc du courant <strong>de</strong> diffusion (I diff ) (paragraphe I.B.1) et <strong>de</strong><br />

frontière inférieure <strong>pour</strong> le régime au-<strong>de</strong>là du seuil, donc du courant <strong>de</strong> dérive (I drift ) (paragraphe I.B.2). Dans<br />

notre cas, nous choisissons <strong>de</strong> fixer la valeur du courant <strong>de</strong> drain au seuil (V g =V t ) à la valeur I th =10 -7 W/L, ce qui fixe<br />

la composante <strong>de</strong> diffusion, et permet d’avoir une valeur du courant <strong>de</strong> fuite I off . Or, la composante <strong>de</strong> diffusion<br />

« s’arrête » brutalement à V g =V t et la composante <strong>de</strong> dérive <strong>de</strong>vient brutalement non nulle. Il est clair qu’une<br />

simple somme <strong>de</strong>s composantes ne permet pas d’obtenir une courbe continue. La Figure II-41 illustre cette<br />

problématique.<br />

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