Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

Chapitre VI: Comparaison des performances logiques et SRAM au noeud 14-16nm.
Par conséquent, la probabilité qu’il y ait une erreur dans la cellule, c’est-à-dire SNM par = dans Eq. VI-9), on a alors l’expression de Z en fonction de la
taille du réseau de cellules SRAM :
√
Eq. VI-10
Dans cette étude, nous considérons des réseaux de cellules SRAM de taille N bit =100Mbits (valeur typique pour les
applications systèmes sur puce), ce qui mène à une valeur de Z=5.9.
Enfin, pour aboutir à la valeur de la tension d’alimentation minimale garantissant la fonctionnalité du réseau de
cellule SRAM, considérons que la variation de la SNM en fonction de la tension d’alimentation V dd est linéaire. On
peut alors écrire :
Eq. VI-11
Où α et β sont extraits des courbes SNM(V dd ) obtenues par simulations sans prise en compte de la variabilité pour
chaque architecture (Figure VI-16, reproduit sur la Figure VI-21-a avec les valeurs de α et β). Cette méthode a déjà
été proposée par [Bœuf 11], mais nous procurons ici un meilleur développement. La Figure VI-21-a montre
également que la variation de SNM avec la tension d’alimentation V dd est bien linéaire, tant que V dd