Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

Chapitre III: Evaluation analytique des capacités parasites dans les structures CMOS.
Pour les deux dernières composantes, la transformation conforme ne peut être utilisée directement car les
électrodes ne sont pas dans le même plan. Nous choisissons alors d’adapter cette méthode. Pour la composante
C cornerSD , nous divisons l’extension de grilles en n tranches (découpage illustré sur la Figure III-24-a) et nous
appliquons la transformation conforme sur chaque tranche. Il nous suffit ensuite d’ajouter les valeurs de capacité
obtenue sur chaque tranche. Avec H g /n étant l’épaisseur d’une tranche élémentaire, et en adaptant la méthode
décrite dans la partie III.B.3 en utilisant l’équation III-34 avec ((x 1 , y 1 , x 2 , y 2 ) = (iH g /n, t ox , W ext , W ext )), on obtient :
∑
(
√( )
√
√( )
)
Eq. III-55
tel-00820068, version 1 - 3 May 2013
Où i est un nombre entier, plus i est grand, meilleure est la précision.
C cornercontacttop peut être modélisé par une méthode similaire au calcul de C conerSD . Nous choisissons de couper
l’extension de grilles également en n tranches mais cette fois dans le sens de l’extension de grille (Figure III-24-b),
donc l’épaisseur d’une tranche sera (W ext /n). Ensuite, nous utilisons le théorème de Pythagore pour définir
H mineff (i) la distance la plus courte, pour une tranche donnée du contact au-dessus de la grille et H maxeff (i) la
dimension effective d’une tranche. Nous utilisons alors l’équation III-34 avec (x 1 , y 1 , x 2 , y 2 ) = (0, H mineff (i), H maxeff (i),
H maxeff (i)) :
H mineff i =√(
∑ (√ √ ) Eq. III-56
i
n )2 t sp Eq. III-57
H maxeff i =√ i n 2 (t sp L 2) - H mineff i Eq. III-58
Grille
Grille
Contact
W ext
C cornerSD
W ext
Contact
C cornercontacttop
Silicium
Silicium
a) b)
Figure III-24 : découpage de l’extension de grille pour le calcul de la composante C cornerSD (a) et de la
composante C cornercontact_top (b).
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