Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

Conclusion générale
Une solution, en rupture avec la méthode habituelle de l’industrie de la microélectronique d’assurer la croissance
de la densité d’intégration des transistors, serait de commencer à tirer avantage de la troisième dimension avec,
par exemple, l’intégration 3D monolithique. Les transistors pourraient alors être répartis sur plusieurs niveaux,
relâchant la contrainte sur leurs dimensions comme la longueur de grille.
Satisfaire Gordon Moore et sa fameuse loi semble possible pour encore quelques nœuds technologiques, avec
l’introduction de nouvelles architectures et de nouveaux matériaux. Mais la question qui, même avec MASTAR
VA, reste en suspens est « jusqu’à quand ? ».
tel-00820068, version 1 - 3 May 2013
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