Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

Cof (fF/µm)
Cof(fF/µm)
Cov (fF/µm)
Chapitre III: Evaluation analytique des capacités parasites dans les structures CMOS.
espaceur
Source-drain
grille
oxyde
substrat
dL(nm)
a) b)
Figure III-11 : (a) Kit de simulation FlexPDE pour la validation du modèle de capacité de recouvrement C ov.
(b) Tracé de la variation de capacité de recouvrement en fonction de la longueur de recouvrement dL avec
notre modèle et comparaison avec les simulations numériques.
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0.00
Simulations numériques
Modèle
0 2 4 6 8 10
tel-00820068, version 1 - 3 May 2013
III.C.3.
Capacité de bords externes (Cof)
La capacité de bords externes est une capacité entre deux électrodes perpendiculaires. Pour l’évaluer, il nous
suffit donc d’utiliser l’équation III-34 avec (x 1 , x 2 , y 1 , y 2 )=(0, t ox , t sp , H g ) :
√ √ ( ) ( )
( ) Eq. III-37
Nous validons ce modèle par simulations numériques FlexPDE avec le même kit utilisé dans le paragraphe III.C.2
pour la capacité de recouvrement C ov , mais cette fois nous fixons la longueur de recouvrement à 0. La Figure III-12
montre que notre modèle reproduit bien les résultats de simulations en fonction de la hauteur de grille (b). Elle
montre cependant également que le modèle reproduit convenablement les simulations pour les épaisseurs
d’espaceur supérieures à 10nm (a). En dessous, l’écart entre modèle et simulation augmente du fait de la part de
plus en plus importante prise par le terme de capacité due aux lignes de champ non elliptiques (Eq III-33). L’erreur
reste tout de même raisonnable et sera négligeable par rapport aux autres capacités parasites lors de calcul de
capacité de dispositifs totale (t sp