Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

Chapitre VI: Comparaison des performances logiques et SRAM au noeud 14-16nm.
Ensuite, pour estimer l’encombrement surfacique S des cellules SRAM que nous allons définir pour chaque
architecture, nous utiliserons l’équation suivante :
Eq. VI-1
Eq. VI-2
o
Eq. VI-3
Où L cell et H cell sont représentés sur le dessin classique d’une cellule SRAM (Figure VI-14-a) ainsi que chaque
dimension nécessaire à leur évaluation. Les dimensions ne dépendant pas du dessin de la cellule sont estimées à
partir des valeurs de longueur de grille L et de pas de répétition d’un contact CPP, suivant les règles simples
énoncées dans la Figure VI-14-b.
tel-00820068, version 1 - 3 May 2013
L cell
A2A
W PU
NP
L PG
W PD
L PD =L PU
W PG
L c
C2G
L c
W ext
H cell
a)
Figure VI-14 : a) Dessin classique d’une cellule SRAM avec ces principales dimensions, nécessaires à l’évaluation de
son encombrement surfacique. b) Règles simples données au cour du chapitre III pour l’estimation des dimensions à
partir des valeurs de longueur de grille L et de pas de répétition d’un contact CPP.
b)
Equation
C2G (CPP-L nom )/3
L c (CPP- L nom )/3
Polyendcap L nom
A2A (CPP- L nom )/3
Polyspace (CPP- L nom )/3
NP 2.(CPP- L nom )/3
Enfin, pour ajuster chaque dessin de cellule SRAM, nous choisissons de cibler une valeur de SNM (Static Noise
Margin, marge de bruit statique en français, définie sur la Figure VI-15-a) à la tension d’alimentation nominale du
nœud 16nm, soit V dd =0.8V. Nous la fixons à une valeur typique garantissant le fonctionnement de la cellule, soit
SNM=185mV, comme démontré par [Planes 08] pour le nœud 45nm. Nous choisirons donc d’ajuster nos cellules
SRAM de manière à atteindre SNM=185mV à V dd =0.8V, tout en respectant la contrainte d’encombrement
surfacique.
227