Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

Chapitre III: Evaluation analytique des capacités parasites dans les structures CMOS.
Pour le Trigate, la troisième grille doit être prise en compte :
√ √ ( ) ( )
( )
(
)
√ √ ( ) ( )
( )
(
)
Eq. III-74
tel-00820068, version 1 - 3 May 2013
III.D.5.
Capacité grille-contact (Cpcca)
Nous nous contenterons ici de modéliser la capacité grille-contact dans le cas du schéma de contact en ruban car
les dispositifs 3D sont attendus pour le nœud 22nm, pour lequel plus aucune plateforme CMOS n’utilisera de
contacts à prise. Si nécessaire, la modélisation des capacités parasites dues aux contacts à prise pourra être
effectuée en couplant ce paragraphe à celui traitant le cas des dispositifs planaires (III.C.5).
La difficulté est ici de déterminer la zone où les lignes de champs sont rectilignes entre le contact et la grille. Par
un raisonnement analogue à au paragraphe III.C.5.a), la capacité grille-contact est donnée par :
flat = FP
(
min(tsp, H epi - t mask
)
2
H g -H epi t mask -
2
t sp
√ √ ( ) ( )
)
Eq. III-75
Eq. III-76
( ) Eq. III-77
pcca top
(
)
Les équations de capacité grille-contact pour le Trigate sont obtenues en remplaçant simplement l’épaisseur du
masque dur t mask par l’épaisseur d’oxyde de grille dans les équations III-76 et III-77.
III.D.6.
Capacité grille-epitaxie (Cgepi)
Comme cela peut être vu sur la Figure III-27, la capacité entre la grille et l’épitaxie doit être divisée en trois
composantes :
C gepi_betweenfin1 est la capacité entre la grille et l’épitaxie, comprise entre deux fins, du BOX jusqu’au haut du
fin (Figure III-27-b).
C gepi_betweenfin2 est la capacité entre la grille et l’épitaxie, comprise entre deux fins, du haut du fin jusqu’au
haut de l’épitaxie (Figure III-27-b).
C gepi_onfin est la capacité entre la grille et l’épitaxie, au-dessus du fin (Figure III-27-a).
141