Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

Annexe
5. Description du corps du modèle
Il est maintenant temps de décrire le corps du modèle, c'est-à-dire le contenu du fichier mastar.va. Cette partie se
décompose en quatre paragraphes :
5.a. Schéma équivalent du transistor, vu par le simulateur
Le schéma équivalent du transistor est donné ci-dessous.
Les électrodes d’entées/sortie du transistor sont :
G: Grille
D: Drain
S: Source
B : Substrat
tel-00820068, version 1 - 3 May 2013
Les paramètres de sortie, calculés par le modèle, sont divisés en deux groupes :
Les paramètres statiques :
o I ds : courant drain-source
o I gcs : courant grille-source
o I gcd : courant grille-drain
Les paramètres dynamiques :
o Q g : Charge de grille
o Q s : Charge de source
o Q d : charge de drain
o Q b : Charge de substrat
Les valeurs de ces 4 charges sont utilisées par le simulateur pour déterminer les valeurs des capacités
représentées sur le schéma équivalent.
La prise en compte des résistances d’accès coté source et coté drain s’effectue par l’introduction de nœuds
virtuels (D’ et S’) qui sont directement aux bornes du canal et reliés aux électrodes de source (S) et de drain (D)
par une résistance, égale à la résistance d’accès.
V g
Gate
G
I gcs
I gcd
C gb C gs C gd
V s
Source
S
R s
I ds
S’ D’ R d
D
C bs
V s ’ V d ’
C bd
V d
Drain
B
Bulk
Figure 28: Le schéma équivalent du transistor, vu par le simulateur.
V b
260