Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

SNM (mV)
Chapitre VI: Comparaison des performances logiques et SRAM au noeud 14-16nm.
Spécification
Target 185mV
SNM=185mV
@@V V dd =0.8V
dd =0.8V
b)
BULK FDSOI Trigate
WPU 50 nm 55 nm 60 nm
LPU 25 nm 20 nm 20 nm
WPD 50 nm 55 nm 60 nm
LPD 25 nm 20 nm 20 nm
WPG 42 nm 40 nm 60 nm
LPG 30 nm 26 nm 30 nm
Area 0.047µm² 0.046µm² 0.049µm²
SNM 186 mV 182 mV 186 mV
a)
Figure VI-15 : a) définition de la SNM (Static Noise Margin) sur une courbe papillon (tension d’entrée en
fonction de la tension de sortie) typique d’une cellule SRAM. b) Dessins de cellules SRAM obtenus pour chaque
architecture de transistor.
tel-00820068, version 1 - 3 May 2013
Il faut remarquer ici que, du fait de notre contrainte portant sur la surface de la cellule SRAM, la cellule SRAM
construite à partir de transistor Trigate est limitée à des transistors à un seul fin. Dans ce cas, l’ajustement de la
cellule pourra être effectué seulement au travers de la longueur de grille des transistors pour atteindre la valeur
de SNM spécifiée (contrairement au cas planaire où chacune des largeurs des trois transistors de la cellule pourra
être librement modifiée). Nous pouvons alors effectuer des simulations des cellules SRAM données par la Figure
VI-15-b en utilisant MASTAR VA au travers d’un simulateur de circuit conventionnel [ELDO]. On peut alors tracer
la variation de la SNM en fonction de la tension d’alimentation V dd dans chaque cas (Figure VI-16).
300
250
200
150
SNM=185mV@V dd =0.8V
100
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1 1.2
V dd (V)
Figure VI-16 : Variation de la SNM en fonction de la tension d’alimentation V dd pour chaque architecture.
VI.C.3.
Définition des sources de variabilité
Pour définir les sources de variabilité des paramètres technologiques due au procédé de fabrication, nous allons
considérer que chaque paramètre suit une distribution gaussienne, définie par :
Sa valeur moyenne M, égale à la valeur ciblée du paramètre en question.
Son écart type σ, donné par :
o L’équation : 3xσ=12%M pour les paramètres technologiques obtenus par gravure (L, t si pour le
Trigate uniquement, W, h si ).
o Par la littérature pour les autres paramètres [Weber 08] [GSS-b] [GSS-c].
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