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Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

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Chapitre III: Evaluation analytique <strong>de</strong>s capacités parasites dans les structures CMOS.<br />

En ajoutant l’équation III-15 à la racine <strong>de</strong> l’équationI III-16, et en appliquant au radical <strong>de</strong> cette somme la<br />

fonction sinus hyperbolique réciproque, on parvient à exprimer y’ en fonction <strong>de</strong> (x,y) :<br />

√(<br />

√<br />

) Eq. III-22<br />

III.B.3.<br />

Expression <strong>de</strong> la capacité dans le nouveau repère<br />

Pour calculer la capacité entre <strong>de</strong>ux électro<strong>de</strong>s perpendiculaires, séparées par un isolant <strong>de</strong> permittivité ε, on<br />

commence par définir les dimensions <strong>de</strong>s zones conductrices et <strong>de</strong>s zones isolantes (Figure III-8-a). La fonction <strong>de</strong><br />

transformation décrite dans le paragraphe III.B.2 n’est utilisable que <strong>pour</strong> un système d’ellipses confocales<br />

[plonsey 61], [Bansal 05], il est alors nécessaire <strong>de</strong> transformer la structure initiale <strong>pour</strong> garantir cette condition.<br />

Nous choisissons <strong>de</strong> jouer sur la dimension x 2 (le même raisonnement peut être effectué en modifiant y 2 ).<br />

Sachant que la plus petite ellipse est définie dans le repère initial Cartésien par l’équation paramétrique :<br />

Eq. III-23<br />

tel-00820068, version 1 - 3 May 2013<br />

Et la plus gran<strong>de</strong> ellipse par :<br />

Le foyer f d’une ellipse étant défini par :<br />

√<br />

Eq. III-24<br />

Eq. III-25<br />

Avec a dimension du grand côté <strong>de</strong> l’ellipse, et b petit côté.<br />

Il suffit d’égaliser les formules <strong>de</strong>s foyers <strong>de</strong>s <strong>de</strong>ux ellipses extrêmes <strong>pour</strong> obtenir la valeur <strong>de</strong> x 2 (x 2t ) qui assure<br />

que toutes les ellipses du système auront bien le même foyer. Formellement, il faut résoudre :<br />

√ √ Eq. III-26<br />

Ce qui donne comme valeur transformée x 2t :<br />

√<br />

Eq. III-27<br />

On applique ensuite la fonction <strong>de</strong> transformation à notre structure, et on obtient la Figure III-8-b. On constate<br />

qu’il suffit alors d’appliquer la formule classique du con<strong>de</strong>nsateur plan dans le repère elliptique transformée <strong>pour</strong><br />

évaluer cette capacité :<br />

( )<br />

( )<br />

Eq. III-28<br />

Où W est la largeur <strong>de</strong>s électro<strong>de</strong>s selon l’axe z, ε est la permittivité <strong>de</strong> l’isolant et (x 1 ’,y 1 ’) (x 2 ’,y 2 ’) sont obtenus<br />

avec les équations III-19 et III-22 et correspon<strong>de</strong>nt respectivement à la plus petite et la plus gran<strong>de</strong> ellipse du<br />

système, c’est-à-dire <strong>pour</strong> (x,y)=(x 1 /f,0) et (x,y)=((x 1 +x 2t )/f),0), avec x 2t donné par l’équation III-27 et f valeur du<br />

foyer du système d’ellipses, donnée par l’équation III-26. Les dimensions x 2 et y 2 ayant un rôle dual, et comme la<br />

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