Développement de modèles pour l'évaluation des performances ...

Vt(mV)
Vt(mV)
Vt(mV)
Vt(mV)
Vt (mV)
Vt (mV)
Chapitre II: Modélisation analytique des caractéristiques statiques des différentes architectures CMOS.
400
t box =10nm
modèle
simulation
t box =145nm
600
550
500
t box =5nm
modèle
simulation
t box =10nm
350
t box =25nm
450
300
GPN
V b =0V
t box =5nm
0 10 20 30
tsi (nm)
a) b)
Figure II-19 : Variation de la tension de seuil d’un NMOS à canal long avec l’épaisseur du film de silicium pour
une polarisation de plan de masse nulle et quatre épaisseurs d’oxyde enterré. a) plan de masse de type N et
b) plan de masse de type P. Les lignes continues correspondent aux valeurs obtenues par notre modèle et les
symboles aux simulations numériques.
400
350
GPP V b =0V
t box =25nm
t box =145nm
0 10 20 30
tsi (nm)
tel-00820068, version 1 - 3 May 2013
600
500
400
300
t box =5nm
t box =145nm
GPN t si =5nm
t box =10nm
modèle
simulation
t box =25nm
200
-1 -0.5 0 0.5 1
Vb (V)
a) b)
650
550
450
t box =10nm
t box =25nm
t box =5nm
modèle
simulation
600
500
400
300
t box =5nm
t box =145nm
GPN t si =15nm
t box =10nm
modèle
simulation
t box =25nm
200
-1 -0.5 0 0.5 1
Vb (V)
550
450
t box =25nm
t box =5nm
modèle
simulation
t box =10nm
t box =145nm
GPP t si =5nm
350
-1 -0.5 0 0.5 1
Vb (V)
t box =145nm
GPP t si =15nm
350
-1 -0.5 0 0.5 1
Vb (V)
c) d)
Figure II-20 : Variations de la tension de seuil d’un NMOS à canal long avec la polarisation de la face arrière
pour quatre épaisseurs d’oxyde enterré. a) plan de masse de type N et t si=5nm b) plan de masse de type N et
t si=15nm c) plan de masse de type P et t si=5nm d) plan de masse de type P et t si=15nm. Les lignes continues
correspondent aux valeurs obtenues par notre modèle et les symboles aux simulations numériques.
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