mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

ĮVADAS
fotolitografiją, plėvelių ėsdinimą, n ir p tipo priemaišų legiravimą,
dielektrikų dengimo būdus ir metalizaciją), įgyjami dvipolių
ir vienpolių tranzistorių gamybos technologinių procesų modeliavimo
ir skaičiavimo įgūdžiai ir ugdomi gebėjimai analizuoti
mikroschemų gamybos technologijų pagrindinius procesus naudojant
Silvaco TCAD paketo programines priemones.
2 lentelė. Technologiniai uždaviniai
Metai 2010 2011 2012 2013
Technologijos etapas hp45 hp32
DRAM ½ žingsnis (nm) 40 36 32 28
MPU/ASIC M1 ½ žingsnis, nm 40 36 38 28
MPU/ASIC polikristalinio silicio ½ žingsnis,
nm
36 32 28 25
MPU šabloninis užtūros ilgis, nm 27 24 21 19
MPU fizinis užtūros ilgis, nm 16 14 13 11
Taigi pagrindinius technologinius procesus, kuriais remiantis
projektuojamos naujos integrinių grandynų arba mikroschemų
technologijos, nagrinėsime kituose šios knygos skyriuose.
Pirmame skyriuje aprašyti bendrieji reikalavimai kursinio projekto
turiniui ir jo apiforminimui, projektavimo valdymo ypatumai.
Antrame skyriuje nagrinėjami vienpolių planariųjų silicio
KMOP tranzistorių gamybos technologijų ypatumai, tipinės
vienpolių n ir p tipo kanalų tranzistorių gamybos technologinių
operacijų sekos ir technologinių procesų parametrai. Trečiame
skyriuje analizuojamos tipinės dvipolių tranzistorių gamybos sekos
ir taikomi pagrindinių technologinių procesų (terminio oksidavimo,
difuzijos, jonų implantacijos, fotolitografijos ir kt.) parametrai.
Ketvirtame skyriuje trumpai išnagrinėtos technologinių
procesų modeliavimo programinės priemonės – Silvaco TCAD
9