mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
You also want an ePaper? Increase the reach of your titles
YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.
ĮVADAS<br />
DRAM ½ žingsnio =<br />
DRAM metalo<br />
žingsniui/2<br />
Metalo<br />
žingsnis<br />
MPU/ASIC polikristalinio<br />
silicio ½ žingsnio = MPU/<br />
ASIC polikristalinio silicio<br />
žingsniui/2<br />
Polikristalinio<br />
silicio žingsnis<br />
MPU/ASIC M1 ½ žingsnio<br />
= MPU/ASIC M1<br />
žingsniui/2<br />
Metalo 1 (M1)<br />
žingsnis<br />
Tipinė DRAM<br />
metalo bito linija<br />
Tipinis MPU/ASIC nekontaktinis<br />
polikristalinis silicis<br />
Tipinis MPU/ASIC<br />
kontaktų metalas 1<br />
1 pav. Technologijos etapams apibrėžti: DRAM – dinaminės atmintinės, MPU – mikroprocesoriai,<br />
ASIC – specialios paskirties integriniai grandynai<br />
Kiti parametrai taip pat yra svarbūs charakterizuojant integrinio<br />
grandyno technologiją, pvz., mikroprocesorių (MPU) faktinis<br />
užtūros ilgis geriausiai atspindi moderniausią technologijos<br />
lygį, reikalingą maksimaliam dažniui gauti. Kiekvienas technologijos<br />
etapas vaizduoja reikšmingą technologijos pažangą – vidutiniškai<br />
70 % nuo ankstesnio („senesnio“) mazgo. Europos<br />
nanoelektronikos technologinė platforma ENIAC sumažino iki<br />
dvejų metų laikotarpius tarp etapų pagal darbo sritį „Daugiau už<br />
Murą“ (žr. 2 lentelę).<br />
Šios metodinės priemonės tikslas yra išmokyti analizuoti<br />
ir modeliuoti mikroschemų technologinius procesus ir jų sekas<br />
bei argumentuotai parinkti sprendimus dirbant savarankiškai<br />
arba grupėje. Kursinio projekto metu pagilinamos ir įtvirtinamos<br />
elektroninių įtaisų projektavimo žinios apie mikroschemų<br />
gamybos technologijų pagrindinius procesus (silicio epitaksiją,<br />
8
Change language