mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGIJŲ YPATUMAI 2. Vienpolių planariųjų silicio KMOP tranzistorių gamybos technologijų ypatumai Šiame skyriuje nagrinėjamos tipinės silicio vienpolių n ir p tipo kanalų tranzistorių arba komplementariųjų metalas-oksidas-puslaidininkis (KMOP) tranzistorių gamybos technologijų sekos ir technologinių procesų parametrai. Taikant Muro dėsnį, iš technologų vis daugiau reikalaujama – sumažinti naudojamąją galią ir padidinti darbinius dažnius, sumažinti tranzistorių matmenis ir kainą. Jau naudojama daug naujų medžiagų ir dar daugiau jų reikės vėlesnėms KMOP kartoms (2.1 pav.), pvz., Al buvo pakeistas Cu daugelio lygių sujungimais, kuriems atskirti atrasti mažos dielektrinės skvarbos – vadinamieji mažos K dielektrikai, įvairūs silicidai yra taikomi ištakų, užtūrų ir santakų kontaktų varžai sumažinti, pvz., TiSi 2 , o CoSi 2 pasižymi puikiu elektriniu laidžiu, kai laidininko plotis yra mažesnis nei 100 nm. Užtūros silicio dioksido dielektrikas yra keistinas didesnės santykinės dielektrinės skvarbos dielektrikais, vadinamaisiais didelės K dielektrikais, o polikristalinio silicio užtūros keičiamos metalo užtūromis. Be to, sukurtas vadinamasis ištemptas silicis naudotinas greitaveikiuose integriniuose grandynuose. Klasikinė planarioji KMOP vienos užtūros tranzistoriaus konstrukcija jau keičiama vertikaliąja su dviguba ar triguba užtūra ir kt. 19
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGIJŲ YPATUMAI Nepaisydami tokio spartaus KMOP tranzistorių konstrukcijos ir medžiagų kitimo, šiame skyriuje apžvelgsime silicio planariųjų KMOP tranzistorių technologijų ypatumus, kurie taikomi kursinio projektavimo metu. KMOP tranzistorių evoliucija. Šiuolaikinių technologijų KMOP tranzistoriuose naudojamos nedidelės maitinimo ir slenkstinės įtampos, todėl nuotėkio srovės yra palyginti žymios. Jų naudojamoji galia artėja prie persijungimo metu sunaudojamos galios, ir tai yra parazitinis reiškinys. Šioms problemoms spręsti ieškoma naujų užtūrų ir použtūrinio dielektriko medžiagų, kurios bus apžvelgtos toliau. 2.1 pav. Medžiagų taikymo evoliucija taikant KMOP technologijas Ilgakanalių tranzistorių užtūros srovė I D gali būti apytiksliai išreikšta tiesinėje ir soties srityse: 20
Page 1 and 2: Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4: R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7: ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9: ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11: ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13: 1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15: 1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17: 1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19: 1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 22 and 23: 2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 60 and 61: 3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 70 and 71:
3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 72 and 73:
4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75:
4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 76 and 77:
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 78 and 79:
Page 80 and 81:
Page 82 and 83:
Page 84 and 85:
Page 86 and 87:
Page 88 and 89:
Page 90 and 91:
Page 92 and 93:
Page 94 and 95:
Page 96 and 97:
Page 98 and 99:
Page 100 and 101:
Page 102 and 103:
Page 104 and 105:
Page 106 and 107:
Page 108 and 109:
Page 110 and 111:
Page 112 and 113:
Page 114 and 115:
Page 116 and 117:
Page 118 and 119:
Page 120 and 121:
Page 122 and 123:
Page 124 and 125:
Page 126 and 127:
Page 128 and 129:
Page 130 and 131:
Page 132 and 133:
Page 134 and 135:
Page 136 and 137:
Page 138 and 139:
Page 140 and 141:
Page 142 and 143:
Page 144 and 145:
APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147:
PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149:
PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151:
PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?