mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ structure outfile=lithography_6.str # Gautos struktūros saugojimas tonyplot -st lithography_6.str -set settings.set Puslaidininkinė plokštelė po polikristalinio silicio ėsdinimo pavaizduota 5.3 paveiksle. 5.3 pav. Puslaidininkinė plokštelė suformavus polikristalinio silicio užtūrą Santakų ir ištakų palegiravimas. Septintoji fotolitografija yra skirta pridengti PMOP tranzistorių sritį fotorezistu, nes po jos vykdomas NMOP tranzistoriaus santakos / ištakos sričių palegiravimas (angl. Lightly Doped Drain / source, (LDD). Šis 5×10 13 cm -2 dozės palegiravimas 10 keV energijos fosforo jonais yra būtinas, siekiant sumažinti karštųjų krūvininkų efektus bei padidinti tranzistoriaus pramušimo įtampą. Šių procesų programinis kodas yra toks: 91
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ ### VII fotolitografija: NMOP palegiravimas ### deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=10 layout lay.clear x.low=-10.5 z.low=-4.0 x.high=0.0 z.high=4.0 image win.x.lo=-10.5 win.x.hi=10.5 win.z.lo=-4.25 win.z.hi=4.25 dx=0.05 clear expose dose=150 bake time=100 sec temp=120 develop mack time=90 steps=15 # material material=AZ1350J gamma.reflo=2e2 reflow visc.0=1.862e-13 visc.E=1.85 # bake time=10 min temp=120 reflow # Implantavimo parametrų įkėlimas moments std_tables # 10 keV energijos, 5e13 dozės fosforo implantacija implant phosphor energy=10 dose=5.0e13 pearson # Likusio fotorezisto pašalinimas etch name.resist=AZ1350J all # Gautos struktūros saugojimas structure outfile=lithography_7.str # Gautos struktūros atvaizdavimas tonyplot -st lithography_7.str -set settings.set Aštuntosios fotolitografijos paskirtis yra pridengti prieš tai buvusią atvirą NMOP tranzistoriaus santakos / ištakos sritį, nes po jos bus vykdomas PMOP tranzistoriaus santakos ir ištakos silp nas palegiravimas per fotoreziste suformuotas angas boro jonų implantacija. Dozė yra lygi 5×10 13 cm -2 , o boro jonų energi- 92
Page 1 and 2:
Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4:
R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7:
ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9:
ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11:
ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15:
1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17:
1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21:
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 22 and 23:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33:
Page 34 and 35:
Page 36 and 37:
Page 38 and 39:
Page 40 and 41:
Page 42 and 43: 2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 60 and 61: 3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 72 and 73: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 142 and 143:
6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 144 and 145:
APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147:
PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149:
PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151:
PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?