mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGIJŲ YPATUMAI
3. Plokštelės sutapdinimas su fotošablonu (kvarcinio ar kito
stiklo plokštele su reikiamu integrinio grandyno elementų
piešiniu) ir jos eksponavimas. Fotošablono piešinys turi
tiksliai sutapti su fotolitografijos piešiniu (leidžiami nuokrypiai
yra 2.4 lentelėje). Fotorezistas lokaliai eksponuojamas
(apšviečiamas) UV šviesos spinduliais, kurių bangos
ilgis dažniausiai yra 193 nm. Jie praeina tik ten, kur fotošablone
yra skaidrumo sritys – angos. Piešinys fotošablone
perkeliamas į fotorezistą.
Reikalavimai, kurie bus keliami litografijoms ateityje (pagal
ITRS), pateikti 2.5 lentelėje.
2.4 lentelė. Reikalavimai litografijoms
Pirmieji DRAM gamybos metai 2009 2012
DRAM bitai luste 64 G 256 G
Minimalūs elementų matmenys, nm
Izoliuotos struktūros MPU, nm 50 35
Sutankintos struktūros DRAM, nm 70 50
Kontaktai, nm 80 60
Užtūros matmenų nuokrypis (3σ), nm 5 4
Sutapdinimas (vidurkis + 3σ), nm 25 20
Fokusavimo gylis, µm 0,5 0,5
Defektų tankis (sluoksnis/m 2 ) 40 30
Kritinis defektų dydis, nm 20 15
DRAM lusto dydis, mm 2 1120 1580
MPU lusto dydis, mm 2 620 750
Eksponuojamojo lauko dydis, mm 25×44 25×52
Eksponavimo technologija (TUV imersija) 193 nm 157 nm
Mažiausias kaukių skaičius 26/28 28
4. Fotorezisto kaitinimas po eksponavimo. Temperatūra yra
100 °C ar 120 °C, o operacijos trukmė atitinkamai yra
500–600 s ir 100 s. Taip sumažiname ar visai pašaliname
dėl stovinčių bangų efekto gautus eksponuoto fotorezisto
34