mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ ir paviršiuje, pramušimo įtampos, dielektrinės skvarbos ir kitus defektus. Gamyboje naudojamas SiO 2 užtūros sluoksnis yra labai plonas, kelių ar keliolikos nm storio. Terminis 5 nm SiO 2 auginimo sausame deguonyje programinis kodas yra toks: # Užtūros oksido ir polisilicio formavimas # Nuėsdinamas plonas paviršinis oksido sluoksnis etch oxide dry thick=0.024 # Sausame deguonyje auginamas aukštos kokybės oksidas diffuse time=45 temperature=800 dryO2 Užauginus 5 nm užtūros SiO 2 sluoksnį, Si plokštelės paviršius padengiamas polikristaliniu siliciu, kuris gaunamas kontroliuojama silano pirolize. Reakcijos vykdomos žemo slėgio cheminio nusodinimo iš garų fazės sistemose (angl. Low Pressure Chemical Vapor Deposition, (LPCVD) ir polikristalinis silicio sluoksnis gaunamas esant 600–650 °C temperatūrai ir 25– 150 Pa slėgiui. Auginimo greitis gaunamas apie 10–20 nm/min. Polikristalinio silicio 0,5 µm storio plėvelės cheminio nusodinimo iš dujinės fazės programinis kodas yra toks: #LPCVD polisilicio nusodinimas rate.depo machine=Poly_LPCVD polysilicon n.m cvd dep.rate=20 step.cov=0.0 deposit machine=Poly_LPCVD time=25 minutes div=10 Šeštosios arba užtūros fotolitografijos metu fotorezistas paliekamas tose srityse, kur bus KMOP tranzistorių užtūros. Šios tiksliausios visoje KMOP technologijoje 1 µm ilgio užtūrų fotolitografijos programinis kodas yra toks: ### VI fotolitografija: KMOP užtūrų formavimas ### deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=1 89
5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ layout lay.clear x.low=-5.5 z.low=-4.0 x.high=-4.5 z.high=4.0 layout x.low=4.5 z.low=-4.0 x.high=5.5 z.high=4.0 image win.x.lo=-10.5 win.x.hi=10.5 win.z.lo=-4.25 win.z.hi=4.25 dx=0.05 clear expose dose=150 bake time=100 sec temp=120 develop mack time=90 steps=15 # material material=AZ1350J gamma.reflo=2e2 reflow visc.0=1.862e-13 visc.E=1.85 # bake time=10 min temp=120 reflow Po to atliekamas 5 minučių trukmės polikristalinio silicio plazminis-cheminis ėsdinimas sieros heksafluorido (SF 6 ) ir helio (He) dujose apytikriai 100 nm/min. greičiu, o selektyvumas SiO 2 ir AZ1350J fotorezisto atžvilgiu atitinkamai yra lygus: Si/SiO 2 = 20 ir Si/AZ1350J = 40. Polikristalinio silicio ėsdinimo programinis kodas yra toks: # Sausas, anisotropinis polisilicio ėsdinimas rate.etch machine=POLY_Etch material=AZ1350J n.m rie directional=2.5 rate.etch machine=POLY_Etch polysilicon n.m rie directional=100.0 rate.etch machine=POLY_Etch oxide n.m rie directional=5 etch machine=POLY_Etch time=5 minutes # Likusio fotorezisto pašalinimas etch name.resist=AZ1350J all # Gautos struktūros saugojimas 90
Page 1 and 2:
Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4:
R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7:
ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9:
ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11:
ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15:
1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17:
1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21:
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 22 and 23:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33:
Page 34 and 35:
Page 36 and 37:
Page 38 and 39:
Page 40 and 41: 2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 60 and 61: 3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 72 and 73: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 140 and 141:
6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 142 and 143:
6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 144 and 145:
APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147:
PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149:
PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151:
PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?