mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...
Create successful ePaper yourself
Turn your PDF publications into a flip-book with our unique Google optimized e-Paper software.
6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ<br />
6. Dvipolių tranzistorių<br />
gamybos technologinių<br />
procesų projektavimas ir<br />
analizė<br />
Dvipoliuose integriniuose grandynuose dažniausiai naudojami<br />
n+pn tranzistoriai, nes jų parametrai geresni už pnp tranzistorių.<br />
Taip yra dėl dviejų priežasčių. Pirmiausia fosforo tirpumas<br />
silicyje yra didesnis už boro tirpumą, todėl gaunamas didesnis<br />
priemaišų tankis emiterio srityje ir emiterio srovės perdavimo<br />
koeficientas. Kita priežastis ta, kad n+pn tranzistorių pagrindinę<br />
srovę lemia elektronai, kurių judrumas silicyje yra kelis kartus<br />
didesnis už skylių judrumą. Dėl to gaunamas didesnis srovės perdavimo<br />
koeficientas. Be to, kai judrumas didesnis, tranzistorių<br />
dažninės savybės yra geresnės, o jų veikimo sparta – didesnė.<br />
Toliau apžvelgsime pagrindinius n+pn tranzistorių technologinius<br />
etapus, naudojant planarinę epitaksinę technologiją, ir<br />
pateiksime jiems modeliuoti skirtus Athena ir Atlas programinius<br />
kodus ir jų paaiškinimus.<br />
Pagrindiniai technologinių procesų projektavimo etapai, aprašyti<br />
toliau, yra tokie: plokštelės srities matmenų ir modeliavimo<br />
tinklelio įvedimas, silicio plokštelės parametrų nustatymas, paslėptojo<br />
sluoksnio formavimas, silicio epitaksinio sluoksnio auginimas,<br />
sandūrinė tranzistorių izoliacija ir kolektoriaus srities<br />
formavimas, tranzistoriaus bazės formavimas, emiterio ir kolektoriaus<br />
n+ sričių formavimas, kontaktinių angų fotolitografija,<br />
pirmoji aliuminio metalizacija, pasyvacija, tranzistoriaus elekt-<br />
120
Change language