mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

More documents

Recommendations

Info

6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ diffuse time=10 temperature=1100 wetO2 press=2 hcl=3 Gauname 0,38 µm storio oksidą, kurį po to dengiame fotorezistu centrifugoje. Joje dėl išcentrinių jėgų fotorezistas ant lygaus paviršiaus pasklinda plonu 0,5 mm vienodo storio sluoksniu. Plokštelės su SiO 2 sluoksniu dengimas fotorezistu yra toks: # Fotorezisto AZ1250J sluoksnio formavimas deposit name.resist=AZ1350J thickness=0.5 div=10 Po to fotolitografijos technologiname procese turėtų būti vykdomos tokios technologinės operacijos: fotorezisto džiovinimas, eksponavimas, kaitinimas, ryškinimas ir kietinimas. Siekiant supaprastinti rašomą programinį kodą, fotolitografijos procesas pakeičiamas Athena paprogramėje naudojamu geometriniu ėsdinimu. Šio ėsdinimo metu yra pašalinamas koordinačių taškais nurodytas fotorezisto plotas. Fotorezisto geometrinio ėsdinimo programinis kodas yra toks: # Anga paslėptam n+ sluoksniui suformuoti etch name.resist=AZ1350J start x=6.0 y=-0.8 etch cont x=6.0 y=-0.2 etch cont x=18.0 y=-0.2 etch done x=18.0 y=-0.8 Fluoro rūgštimi HF yra ėsdinamas SiO 2 , naudojant kaip priedą amonio floridą NH 4 F ėsdinimo kokybei pagerinti. Tokio ėsdiklio selektyvumas fotorezisto atžvilgiu yra labai didelis – daugiau kaip 100. Izotropinio ėsdinimo, kai selektyvumas fotorezistas: SiO 2 = 1:100, ėsdinimo programinis kodas yra toks: # Medžiagų ėsdinimo greičio nustatymas rate.etch machine=HF wet.etch name.resist=AZ1350J n.m isotropic=1 rate.etch machine=HF wet.etch oxide n.m isotro- 123
6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ PROJEKTAVIMAS IR ANALIZĖ pic=100 # Ėsdinimo laiko nustatymas etch machine=HF time=5 min Likęs fotorezisto sluoksnis yra pašalinamas koncentruotoje sieros ar azoto rūgštyje. Fotorezisto pašalinimo operacija aprašoma šiuo programiniu kodu: # Pašalinamas likęs fotorezisto sluoksnis etch name.resist=AZ1350J all Dabar galima atlikti paslėptojo n+ sluoksnio pradinį formavimą: į apie 0,25 mm plokštelės gylį (per tolesnes termines operacijas vyks šio sluoksnio plėtimasis, žr. 6.1 pav.) 5 minutes vykdoma As priemaišų difuzija, esant 1000 ºC temperatūrai: # Atliekamas arseno priemaišų įterpimas diffusion time=5 temp=1000 c.arsenic=1.0e21 Po to nuėsdiname likusį SiO 2 sluoksnį, panaudoję šį programinį kodą: # Nuėsdinamas likęs SiO 2 sluoksnis etch oxide all Silicio epitaksinio sluoksnio auginimas. Ant plokštelės užauginamas 5 µm storio, n tipo arsenu legiruotas (N D = 5×10 15 cm -3 ) epitaksinis sluoksnis, naudojant chloridinį metodą epitaksiniame vertikaliame reaktoriuje 10 minučių, esant 1000 ºC temperatūrai. Šio epitaksijos proceso programinis kodas yra toks: # Epitaksijos būdu auginamas 5 µm Si sluoksnis, # legiruotas arsenu epitaxy time=10 temp=1000 t.final=1100 c.arsenic=5e15 thickness=5 div=50 Sandūrinė tranzistorių izoliacija ir kolektoriaus srities formavimas. Termiškai oksiduojame plokštelę ir antrosios fotolito- 124
Page 1 and 2:
Romualdas NAVICKAS Vaidotas BARZDĖ
Page 3 and 4:
R. Navickas, V. Barzdėnas. Mikrosc
Page 6 and 7:
ĮVADAS Įvadas Jau sukako 50 metų
Page 8 and 9:
ĮVADAS Taigi žodį nanotechnologi
Page 10 and 11:
ĮVADAS fotolitografiją, plėveli
Page 12 and 13:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 1. Bendrieji
Page 14 and 15:
1. BENDRIEJI NURODYMAI Sunkumai ren
Page 16 and 17:
1. BENDRIEJI NURODYMAI projektų sk
Page 18 and 19:
1. BENDRIEJI NURODYMAI 6. Tekste ne
Page 20 and 21:
2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 22 and 23:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33:
Page 34 and 35:
Page 36 and 37:
Page 38 and 39:
Page 40 and 41:
Page 42 and 43:
Page 44 and 45:
Page 46 and 47:
Page 48 and 49:
Page 50 and 51:
Page 52 and 53:
Page 54 and 55:
Page 56 and 57:
Page 58 and 59:
Page 60 and 61:
3. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 62 and 63:
Page 64 and 65:
Page 66 and 67:
Page 68 and 69:
Page 70 and 71:
Page 72 and 73:
4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 74 and 75: 4. TECHNOLOGINIŲ PROCESŲ MODELIAV
Page 76 and 77: 5. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO
Page 122 and 123: 6. DVIPOLIŲ TRANZISTORIŲ GAMYBOS
Page 144 and 145: APIBENDRINIMAS paslėptojo sluoksni
Page 146 and 147: PRIEDAI Priedai 1. TonyPlot tekstin
Page 148 and 149: PRIEDAI 2. TonyPlot tekstinis nusta
Page 150 and 151: PRIEDAI 3. TonyPlot tekstinis nusta
show all

mikroschemÃ…Â³ technologijÃ…Â³ analizÃ„Â— - Vilniaus Gedimino technikos ...

Create successful ePaper yourself

Delete template?

Save as template?