mikroschemų technologijų analizė - Vilniaus Gedimino technikos ...

2. VIENPOLIŲ PLANARIŲJŲ SILICIO KMOP TRANZISTORIŲ GAMYBOS TECHNOLOGIJŲ YPATUMAI
klais. Dažnai kaip tarpsluoksninis dielektrikas yra naudojamas
boro-fosforosilikatinis stiklas (B 2
O 3
) l
(P 2
O 5
) m
(SiO 2
) n
(angl.
n p
p+ p+ n+ n+
n sritis p sritis
2.18 pav. Si plokštelė po TiN ėsdinimo santakų, ištakų ir užtūrų kontaktams
borophosphosilicate glass, (BPSG). 1 µm storio BPSG sluoksnis
gaunamas žemame slėgyje, chemiškai nusodinant iš dujinės fazės
per trumpą laiką – apie 5–10 min. Po visų ankstesnių operacijų
plokštelės paviršius būna nelygus, todėl vykdomas, kaip ir U
tipo izoliacijos sričių formavimo metu, vadinamasis CMP cheminio-mechaninio
poliravimo procesas, kai plokštelės šlifuojamos,
poliruojamos naudojant suspensijas su vis mažesnių matmenų
abrazyvais, o po to atliekamas cheminis-dinaminis poliravimas,
kai plokštelių paviršius ėsdinamas azoto, fluoro ir acto rūgščių
mišiniu. Tokiu būdu planarizuojamas BPSG sluoksnio paviršius.
Si plokštelė po BPSG cheminio-mechaninio poliravimo pavaizduota
2.19 paveiksle.
Dvyliktosios fotolitografijos metu fotoreziste suformuojamos
angos virš ištakos, santakos ir užtūros kontaktinių sričių
(2.20 pav.). Po to atliekamas BPSG sluoksnio plazminis ėsdinimas,
dažniausiai naudojant C 4
F 8
/CO/Ar/O 2
reagentus. Šio ėsdini-
p
53